[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210222992.3
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN103208513A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設計）人: 白井浩司;稻積賢;平湯剛士;坂本壽博
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L27/092
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

交叉引用

本申請基于2012年1月13日申請的申請?zhí)枮?012－005127的日本申請并主張其優(yōu)先權，將其內容全部援引到本說明書中。

技術領域

后述的實施方式大致涉及半導體裝置。

背景技術

以往，在橫向DMOS（Double-Diffused?Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor：雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管）中，漏極層被分成主要流過電流的漂移（drift）層、和主要確保耐壓的漏極緩沖層。而且，由于對它們獨立進行控制，所以難以兼顧耐壓的提高和單位面積的電流能力的提高。另外，在只設置漂移層而不設置漏極緩沖層的情況下，耐壓的改善困難，當確保了必要的耐壓時，存在元件面積變大這一問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明想要解決的課題在于，提供一種能夠兼顧耐壓與電流能力的半導體裝置。

實施方式的半導體裝置具備：導電型為p型的半導體基板；設在上述半導體基板上、導電型為n型的埋入層；設在上述埋入層上、導電型為p型的背柵層；設在上述背柵層上、導電型為n型的漏極層；設在上述背柵層上、與上述漏極層分離、導電型為n型的源極層；在上述背柵層中的上述漏極層與上述源極層之間的部分的正上方區(qū)域設置的柵電極；以及與上述漏極層的上表面的一部分接觸的漏電極，

上述漏極層與上述漏電極的接觸面的正下方區(qū)域中的上述漏極層的厚度，是上述接觸面的正下方區(qū)域中的上述背柵層以及上述漏極層的合計厚度的一半。

其他實施方式的半導體裝置具備：導電型為p型的半導體基板；設在上述半導體基板上、導電型為n型的埋入層；設在上述埋入層上、導電型為p型的第1背柵層；設在上述第1背柵層上、導電型為n型的第1漏極層；設在上述第1背柵層上、與上述第1漏極層分離、導電型為n型的第1源極層；在上述第1背柵層中的上述第1漏極層與上述第1源極層之間的部分的正上方區(qū)域設置的第1柵電極；設在上述埋入層上、導電型為n型的第2背柵層；設在上述第2背柵層上、導電型為p型的第2漏極層；設在上述第2背柵層上、與上述第2漏極層分離、導電型為p型的第2源極層；以及設在上述第2背柵層中的上述第2漏極層與上述第2源極層之間的部分的正上方區(qū)域的第2柵電極；

上述第2漏極層的下端位于上述第1漏極層的下端的下方。

并且，其他實施方式的半導體裝置具備：導電型為p型的半導體基板；設在上述半導體基板上、導電型為n型的埋入層；設在上述埋入層上、導電型為p型的第1背柵層；設在上述第1背柵層上、導電型為n型的第1漏極層；設在上述第1背柵層上、與上述第1漏極層分離、導電型為n型的第1源極層；在上述第1背柵層中的上述第1漏極層與上述第1源極層之間的部分的正上方區(qū)域設置的第1柵電極；與上述第1漏極層的上表面的一部分接觸的第1漏電極；設在上述埋入層上、導電型為n型的第2背柵層；設在上述第2背柵層上、導電型為p型的第2漏極層；設在上述第2背柵層上、與上述第2漏極層分離、導電型為p型的第2源極層；在上述第2背柵層中的上述第2漏極層與上述第2源極層之間的部分的正上方區(qū)域設置的第2柵電極；以及與上述第2漏極層的上表面的一部分接觸的第2漏電極；

上述第2漏極層的下端位于上述第1漏極層的下端的下方，上述第1漏極層與上述第1漏電極相接的第1接觸面的正下方區(qū)域中的上述第1漏極層的厚度，是上述第1接觸面的正下方區(qū)域中的上述第1背柵層以及上述第1漏極層的合計厚度的一半，在與上述半導體基板的上表面平行的方向上，上述第1漏極層的上述第1源極層側的端部邊緣與上述第1接觸面之間的長度，等于上述第1接觸面的正下方區(qū)域中的上述第1背柵層以及上述第1漏極層的合計厚度，上述第1柵電極在上述第1漏極層的正上方區(qū)域中朝向上述第1接觸面延伸突出，上述延伸突出的部分的長度比上述第1漏極層的上述第1源極層側的端部邊緣與上述第1接觸面之間的長度的一半長，在上述第1接觸面的正下方區(qū)域中，上述第1漏極層的劑量與上述第1背柵層的劑量相等，在與上述半導體基板的上表面平行的方向上，上述第2漏極層的上述第2源極層側的端部邊緣與上述第2漏極層和上述第2漏電極相接的第2接觸面之間的長度，等于上述第2接觸面的正下方區(qū)域中的上述第2背柵層以及上述第2漏極層的合計厚度。

根據(jù)上述構成的半導體裝置，能夠兼顧耐壓和電流能力。

附圖說明

圖1是例示實施方式涉及的半導體裝置的剖視圖。