[發明專利]一種超材料隱身裝置

有效

• 申請號: 201210222168.8
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102769207A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 劉若鵬;趙治亞;寇超鋒;李云龍
• 申請（專利權）人: 深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01Q15/02
• 分類號: H01Q15/02;H01Q17/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超材料隱身裝置，其特征在于：包括多層折射率分布不同的匹配超材料片層以及多層折射率分布相同的核心超材料片層，所述多層匹配超材料片層的折射率最小值小于所述核心超材料片層的折射率最小值；所述核心超材料片層與所述匹配超材料片層的折射率分布為：以各片層中心點為圓心，各片層被劃分為一個圓形區域和多個環形區域，在圓形區域和每個環形區域內，相同半徑處的折射率相同，隨著半徑增大，折射率從超材料片層的最小值逐漸增加到最大值；圓形區域的最大半徑與各個環形區域的間距相等。

2.如權利要求1所述的超材料隱身裝置，其特征在于：所述核心超材料片層共有M層，沿電磁波入射方向，匹配超材料片層分為第一至第N層匹配超材料片層；第一層匹配超材料片層的折射率分布均勻，為n_1min，第二至第N層匹配超材料片層的折射率分布為n_jmin+K_j[n(r)-n_jmin]，j表示第二至第N層匹配超材料片層的序號，K_j表示第j層匹配超材料片層的比例系數，n(r)為核心超材料片層的折射率分布；核心超材料片層上，距圓心半徑為r處的折射率為：

n(r)=n_min+mod(RI(r)-n_min，n_max-n_min)；

RI(r)=nmin+rdsin(θ);]]>

nmax=nmin+adsin(θ);]]>

d=2*(k₂+k₃+....+k_n+M)*A；

其中，n_min為核心超材料片層的最小折射率值，θ為超材料隱身裝置將電磁波偏移的角度，每層核心超材料片層與每層匹配超材料片層厚度均為A，mod為取余運算，a為圓形區域最大半徑。

3.如權利要求2所述的超材料隱身裝置，其特征在于：所述多片匹配超材料片層和多片核心超材料片層均包括基材以及周期排布于基材上的多個人造微結構以改變匹配超材料片層和核心超材料片層每點的折射率值。

4.如權利要求3所述的超材料隱身裝置，其特征在于：所述人造微結構為人造金屬微結構，所述人造金屬微結構拓撲圖案呈各向同性。

5.如權利要求4所述的超材料隱身裝置，其特征在于：所述人造金屬微結構呈平面雪花狀，其具有相互垂直平分的第一金屬線及第二金屬線，所述第一金屬線與第二金屬線的長度相同，所述第一金屬線兩端連接有相同長度的兩個第一金屬分支，所述第一金屬線兩端連接在兩個第一金屬分支的中點上，所述第二金屬線兩端連接有相同長度的兩個第二金屬分支，所述第二金屬線兩端連接在兩個第二金屬分支的中點上，所述第一金屬分支與第二金屬分支的長度相等。

6.如權利要求5所述的超材料隱身裝置，其特征在于：所述平面雪花狀的人造金屬微結構的每個第一金屬分支及每個第二金屬分支的兩端還連接有完全相同的第三金屬分支，相應的第三金屬分支的中點分別與第一金屬分支及第二金屬分支的端點相連。