[發明專利]中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法

無效

• 申請號: 201210221586.5
• 申請日: 2012-06-30
• 公開（公告）號: CN102723205A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 楊富國;張玉紅
• 申請（專利權）人: 佛山科學技術學院
• 主分類號: H01G9/04
• 分類號: H01G9/04;H01G9/045
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 賀紅星

技術領域

本發明屬于鋁電解電容器制造領域，具體涉及中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法。

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背景技術

鋁電解電容器用陽極箔，為了提高比容，一般采用電化學腐蝕工藝來增大鋁箔的有效表面積，其中主要包括鋁箔表面的初始蝕孔的引發和鋁箔蝕孔的擴孔技術。現有技術采用二段電化學擴孔，在孔徑增加的同時，也伴隨著是鋁箔表面的溶解，降低了腐蝕箔的機械強度，限制了其應用領域。

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發明內容

??本發明針對現有陽極箔的腐蝕方法只能對中壓的陽極箔進行腐蝕而無法對高壓的陽極箔進行腐蝕所存在的缺陷提供一種中高壓陽極箔的腐蝕方法，并解決了有效表面積與機械強度兩者間的矛盾。

為了解決上述技術問題，本發明的技術方案依次包括：

A、前處理：將鋁箔放在0.6～5wt%硫酸和2～5wt%鹽酸的混合溶液中浸泡1～3分鐘；

B、一級直流電解腐蝕：將上述經過前處理的鋁箔放入0.6～5wt%硫酸和2～5wt%鹽酸的混合溶液中進行一級直流電解腐蝕；

C、二級化學腐蝕：將上述經過一級直流電解腐蝕的鋁箔放入濃度為1～5?wt%鹽酸、0.2～0.8wt%磷酸及0.05～0.2wt%間硝基苯磺酸鈉的混合溶液中進行二級化學腐蝕；?

D、三級直流電解腐蝕：將上述經過二級化學腐蝕的鋁箔放入濃度為0.3～3wt%硝酸、0.2～0.8wt%磷酸及0.05～0.2wt%間硝基苯磺酸鈉的混合溶液中進行三級直流電解腐蝕；

E、后處理：將上述經過三級直流電解腐蝕的鋁箔在0.3～3wt%的硝酸水溶液中浸泡。

上述中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法，作為優選，在前處理中，鋁箔在混合溶液中浸泡溫度在50℃～70℃。

上述中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法，作為優選，在一級直流電解腐蝕中，電流密度為15～30A/dm²，電量為1500～2300C/dm²。

上述中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法，作為優選，在一級直流電解腐蝕中，所述的混合溶液的溫度為65℃～75℃。

上述中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法，作為優選，在二級化學腐蝕中，所述的混合溶液的溫度為80℃～90℃。

上述中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法，作為優選，在三級直流電解腐蝕中，電流密度為3～6A/dm²，電量為1000～1500C/dm²。

上述中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法，作為優選，在三級直流電解腐蝕中，所述的混合溶液的溫度為70℃～85℃。

上述中高壓鋁電解電容器陽極箔的腐蝕方法，作為優選，在后處理中，鋁箔在硝酸水溶液中浸泡溫度在40～60℃。

本發明的前處理目的是除去鋁箔表面的油污、雜質，有利于一級直流電解腐蝕時形成均勻分布的初始蝕孔。

本發明的一級直流電解腐蝕目的是在鋁箔表面形成初始蝕孔，并且使蝕孔孔徑的大小合理、分布均勻。

本發明的二級化學腐蝕的目的是在初始蝕孔的基礎上擴孔，增大孔徑。

本發明的三級直流電解腐蝕的目的是在二級化學腐蝕擴孔的基礎上進一步擴孔，使蝕孔的孔徑滿足中高壓化成的要求。

本發明后處理目的是除去鋁箔表面殘留的金屬雜質，經過后處理后鋁箔表面金屬雜質殘留量≤1mg/m²。?

綜上所述，本發明和現有技術相比具有如下優點：

不僅解決了現有技術的中高壓陽極箔腐蝕問題，而且中高壓陽極箔在獲得高比容前提下，具有很好的機械強度。

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實施方式

下面通過實施例，對本發明的技術方案作進一步具體的說明。

實施例1

采用本發明的腐蝕工藝對110μm新疆眾和箔進行腐蝕并對其進行化成，具體的操作過程如下：

1、前處理：

將鋁箔（新疆眾和110μm箔）放在68℃、濃度為5wt%硫酸和3wt%鹽酸的混合溶液中浸泡1分鐘后，取出。

2、一級直流電解腐蝕：

將上述經過前處理后的鋁箔放在溫度為75℃，濃度為5wt%的硫酸和3wt%鹽酸混合溶液中進行一級直流電解腐蝕，電流密度為26A/dm²，電量為2100C/dm²。

3、二級化學腐蝕：