[發(fā)明專利]一種高功率LD側(cè)面環(huán)繞泵浦結(jié)構(gòu)模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210220250.7
• 申請(qǐng)日: 2012-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN102780152A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 苑利鋼;趙書云;王建軍;韓隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所
• 主分類號(hào): H01S3/0941
• 分類號(hào): H01S3/0941;H01S3/042
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高功率LD側(cè)面環(huán)繞泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：其包括：

增益介質(zhì)；

石英管；

端蓋；

LD泵浦模塊；

其中，該增益介質(zhì)為晶體棒，安裝在石英管內(nèi)；

該石英管為異形石英管，其內(nèi)壁均勻設(shè)有多個(gè)凸起部，該凸起部表面鍍有反射膜，該凸起部的表面為圓弧狀，圓弧的法線經(jīng)過晶體棒的中心；石英管內(nèi)部通水，對(duì)晶體棒進(jìn)行冷卻；

該端蓋安裝于石英管的兩端，端蓋內(nèi)設(shè)有水冷通道，該水冷通道與LD泵浦模塊以及石英管的水冷通道相通；

LD泵浦模塊設(shè)置在石英管的外部，在每兩個(gè)相鄰的凸起部之間對(duì)應(yīng)位置處；其包括LD線性陣列以及水冷結(jié)構(gòu)；所述水冷結(jié)構(gòu)為等腰梯形結(jié)構(gòu)的水冷結(jié)構(gòu)，其下底朝向晶體棒方向，在水冷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上設(shè)置有陶瓷片，該陶瓷片上方設(shè)置有LD；水冷結(jié)構(gòu)側(cè)壁內(nèi)部，陶瓷片的正下方設(shè)置有微通道結(jié)構(gòu)水冷通道，通水孔平行于側(cè)壁；

LD發(fā)出的泵浦光，經(jīng)過石英管后到達(dá)晶體棒，部分被吸收，未被吸收的光被反射凸起部反射，再次回到晶體棒被吸收；LD通過陶瓷片被水冷結(jié)構(gòu)水冷散熱。

2.如權(quán)利要求1所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述晶體棒為Nd:YAG晶體棒，摻雜濃度為1％，長度為90mm，直徑為4～6mm。

3.如權(quán)利要求1或2所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述石英管的管長為60mm，內(nèi)壁直徑為8mm，外壁直徑為10mm。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述凸起部的個(gè)數(shù)為三個(gè)，每個(gè)凸起部上鍍有金屬反射膜，反射率為90％。該凸起部的表面為圓弧狀，對(duì)應(yīng)的圓的曲率半徑為3～5mm，圓弧的弦長為3mm。

5.如權(quán)利要求4所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述曲率半徑為4mm。

6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述水冷結(jié)構(gòu)的材料為導(dǎo)熱率高的金屬銅，其梯形的下底長度為2～4mm，上底長度為6～8mm。

7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述水冷結(jié)構(gòu)的材料為導(dǎo)熱率高的金屬銅，其梯形的下底長度為3mm，上底長度為7mm。

8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述凸起部的個(gè)數(shù)為五個(gè)，每個(gè)凸起部上鍍有介質(zhì)反射膜，反射率為99％。該凸起部的表面為圓弧狀，對(duì)應(yīng)的圓的曲率半徑為4～6mm，圓弧的弦長為2.5mm。

9.如權(quán)利要求9所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述曲率半徑為5mm。

10.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的泵浦結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于：所述凸起部的個(gè)數(shù)為七個(gè)，每個(gè)凸起部上鍍有介質(zhì)反射膜，反射率為99％。該凸起部的表面為圓弧狀，對(duì)應(yīng)的圓的曲率半徑為5～8mm，圓弧的弦長為2mm。