[發(fā)明專利]硅太陽能電池用ZnSnO3-X透明薄膜無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210219804.1 | 申請日： | 2012-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN102723387A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葛波 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州嘉言能源設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 蘇州華博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232 | 代理人： | 傅靖 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 znsno sub 透明 薄膜 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種硅太陽能電池用ZnSnO3-X透明薄膜，其特征在于所述的透明薄膜中X=0.05-0.5。
2.權(quán)利要求1所述的ZnSnO3-X透明薄膜，所述透明薄膜的厚度為100-200nm。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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