[發明專利]AZO薄膜、制備方法以及包括其的MEMS器件

有效

• 申請號: 201210219726.5
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103508406A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 謝巖;李展信
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00;C23C26/00;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;王忠忠

1.一種鋁摻雜氧化鋅薄膜，其形成于襯底之上，其特征在于，所述鋁摻雜氧化鋅薄膜的鋁摻雜濃度在薄膜厚度方向上逐漸遞增。

2.如權利要求1所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜，其特征在于，所述鋁摻雜氧化鋅薄膜基本由5層子薄膜由下至上依次堆疊形成，厚度方向上從下至上的5層子薄膜的鋁摻雜原子百分比含量分別為1%、2%、3%、4%、5%。

3.如權利要求1或2所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜，其特征在于，所述鋁摻雜氧化鋅薄膜通過溶膠-凝膠法或者磁控濺射法形成。

4.一種制備如權利要求1所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

至少選擇二水合乙酸鋅、六水氯化鋁、乙二醇甲醚按一定比例配比形成溶膠，其中二水合乙酸鋅作為鋅源，六水氯化鋁作為鋁源；

采用所述溶膠在襯底上進行鍍膜；

重復以上過程以形成多層的鋁離子逐漸遞增的鍍膜；以及

進行退火處理。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，形成溶膠過程中，還選擇單乙醇胺，所述單乙醇胺與所述二水合乙酸鋅等摩爾量比。

6.如權利要求4所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜，其特征在于，形成溶膠過程中，配比的溶液在恒溫磁力攪拌器上以70℃恒溫的條件攪拌120分鐘。

7.如權利要求6所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜，其特征在于，攪拌結束以后，所述溶液至少陳化48小時。

8.如權利要求4所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜，其特征在于，所述鍍膜過程中，采用旋涂法鍍膜，所述旋涂法中，設置旋轉的轉速為3500轉/分鐘。

9.如權利要求8所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜，其特征在于，每次旋涂結束后，進行干燥處理。

10.如權利要求4所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜，其特征在于，所述退火處理采用管式爐進行，退火溫度設置在400℃至1000℃之間。

11.一種微機電系統器件，其特征在于，至少包括：

如權利要求1至3中任一項所述的鋁摻雜氧化鋅薄膜；以及

化學氣相沉積成膜形成于所述鋁摻雜氧化鋅薄膜上的復合薄膜層。

12.如權利要求11所述的微機電系統器件，其特征在于，所述復合薄膜層是由從下至上依次設置的第一氮化硅薄膜、第一氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、第二氧化硅薄膜和第二氮化硅薄膜組成。

13.如權利要求11或12所述的微機電系統器件，其特征在于，所述鋁摻雜氧化鋅薄膜使用權利要求4至10中任一項所述的方法制備形成。

14.如權利要求13所述的微機電系統器件，其特征在于，所述化學氣相沉積為等離子增強型化學氣相沉積。