[發(fā)明專利]多晶硅在離子注入后的快速退火方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210219690.0 | 申請日： | 2012-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN103515224A | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 平梁良 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 離子 注入 快速 退火 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種快速熱退火方法，用于將晶圓上的多晶硅在離子注入摻雜后進行摻雜激活以獲得預(yù)定電阻范圍內(nèi)的多晶硅層，其特征在于，在快速熱退火的過程中，在向所述晶圓所處的快速熱退火裝置的腔室內(nèi)通入氮氣的同時，通入氧氣以改善所述晶圓上的多晶硅的電阻的均勻性。
2.?如權(quán)利要求1所述的快速熱退火方法，其特征在于，所述氮氣與所述氧氣的流量比范圍為2:1至4000:1。
3.?如權(quán)利要求2所述的快速熱退火方法，其特征在于，所述氮氣與所述氧氣的流量比大致為4000:1。
4.?如權(quán)利要求1或2所述的快速熱退火方法，其特征在于，所述快速熱退火的溫度大于或等于900℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
