[發明專利]長磁傳感器及制造方法

有效

• 申請號: 201210219386.6
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103512588A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 時啟猛;曲炳郡
• 申請（專利權）人: 北京嘉岳同樂極電子有限公司
• 主分類號: G01D5/12
• 分類號: G01D5/12;G07D7/04;G01R17/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有大范圍檢測能力的長磁傳感器，包括：

外殼；

長磁傳感器芯片，所述長磁傳感器芯片位于所述外殼內，其中，所述長磁傳感器芯片為GMR效應磁敏感元件，其中，所述GMR效應磁敏感元件包括：

基體；

至少兩段彼此平行且互相分開的GMR磁敏感薄膜，所述GMR磁敏感薄膜沉積在所述基體上；

第一組電極對，所述第一組電極對敷設在所述GMR磁敏感薄膜的兩側；

第二組電極對，所述第二組電極對敷設在所述GMR磁敏感薄膜的兩端，其中所述第一組電極對與所述第二組電極對分別獨立與所述GMR磁敏感薄膜電性連接；

電性連接組件，所述電性連接組件位于所述外殼內部，且與所述長磁傳感芯片相連；以及

線路支撐體，所述線路支撐體位于所述外殼內部且與所述電性連接組件套設連接，用于支撐所述長磁傳感芯片和所述電性連接組件。

2.根據權利要求1所述的長磁傳感器，其特征在于，所述長磁傳感器芯片包括各向異性磁阻效應AMR磁敏感元件、隧穿磁阻效應TMR磁敏感元件，霍爾效應HALL磁敏感元件，巨磁阻抗效應GMI磁敏感元件及巨霍爾效應GHE磁敏感元件。?

3.根據權利要求1所述的長磁傳感器，其特征在于，所述GMR磁敏感薄膜包括至少兩個具有相反釘扎方向的GMR長磁敏感單元，所述GMR長磁敏感單元和所述第一組電極對和/或第二組電極對形成惠斯通電橋。

4.根據權利要求1或2所述的長磁傳感器，其特征在于，所述GMR磁敏感薄膜為長磁敏感薄膜和/或多段無縫連接和/或有縫連接的短磁敏感薄膜。

5.如權利要求4所述的長磁傳感器，其特征在于，所述每段長磁敏感薄膜的長度至少分別大于3mm，或者多段所述短磁敏感薄膜無縫連接和/或有縫連接的總長度至少大于3mm。

6.根據權利要求1所述的長磁傳感器，其特征在于，所述長磁傳感器芯片包括多段磁傳感器單元串聯和/或并聯而成，每段磁傳感器單元包括：

至少兩段GMR磁敏感薄膜，其中所述GMR磁敏感薄膜彼此平行且互相分開獨立；

第一電極對，所述第一電極對敷設在所述每段獨立磁敏感薄膜的內側和/或外側并與所述每段磁敏感薄膜相連。

第二電極對，所述第二電極對與所述每一獨立的磁敏感薄膜首尾相連；其中，所述第一電極對位于所述第二電極對之間。

7.根據權利要求1所述的長磁傳感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜為連續不間斷性磁敏感薄膜或者不連續間斷性磁敏感薄膜，其中，所述磁敏感薄膜通過沉積、鍍膜、濺射方式形成的導電層電性連接而形成。

8.根據權利要求1所述的長磁傳感器，其特征在于，還包括噪聲屏蔽裝置，所述噪聲屏蔽裝置包括至少一個能形成綜合磁場為零和/或弱綜合磁場的磁真空區域的凹陷，其中所述長磁傳感器芯片被裝配在所述磁真空區域的凹陷內。?

9.根據權利要求8所述的長磁傳感器，其特征在于，所述電性連接組件包括：

印刷電路板，用于支撐所述噪聲屏蔽裝置及所述長磁矩磁傳感器芯片，并通過跳線方式與所述長磁傳感器芯片電性連接；

多根焊針，用于通過所述印刷電路板和所述長磁傳感器芯片電性導通。

10.根據權利要求9所述的長磁傳感器，其特征在于，所述多根焊針包括四根焊針，所述四根焊針與所述印制電路板及所述外殼相連，其中，三根焊針通過印制電路板與所述長磁傳感器芯片電連通，一根焊針通過印制電路板與所述外殼電連通。

11.根據權利要求1所述的長磁傳感器，其特征在于，所述外殼的頂端包括至少一個引入面、至少一個接觸感應面和至少一個尾隨面，其中，所述接觸感應面包括至少一個感應窗口，所述感應窗口的長度方向與所述長磁傳感器芯片的長度方向一致。

12.根據權利要求11所述的長磁傳感器，其特征在于，所述外殼頂端的引入面長度大于或等于所述尾隨面的長度。

13.根據權利要求1或10所述的長磁傳感器，其特征在于，所述外殼為坡莫合金材料，鐵氧體材料，矽鋼片材料，金屬材料外加鎳鐵或坡莫合金的鍍層和/或非金屬材料外加鎳鐵或坡莫合金的鍍層。