[發(fā)明專利]一個基島上同一工位的雙芯片或多芯片的封裝工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210219107.6
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102709205A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 王云峰;王賓;李巖;伊亞輝
• 申請（專利權(quán)）人: 大連佳峰電子有限公司
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603
• 代理公司: 大連星海專利事務所 21208
• 代理人: 徐淑東

1.一個基島上同一工位的雙芯片或多芯片的封裝工藝，其特征是：采用一臺封裝設備上兩個綁定頭按如下步驟進行封裝：

第一步預熱：雙芯片或多芯片分別放置在原材料框架上，原材料框架通過上料結(jié)構(gòu)相對運行進入軌道溫區(qū)，對芯片進行加熱；

第二步點雙錫點：加熱后的芯片在設定坐標內(nèi)移動，移動到位后分別對各芯片點雙錫點；

第三步壓膜：點雙錫點后的芯片，壓膜系統(tǒng)XY方向的伺服馬達，根據(jù)人機交換界面，預先設計XY方向點坐標，實現(xiàn)芯片兩次壓膜，伺服馬達向XY方向設定的坐標移動間距，實現(xiàn)兩點或多點間的移動，完成壓膜雙點成型或單點成型；

第四步綁定芯片：利用熱電偶實時監(jiān)測軌道內(nèi)的溫度，并進行給定溫度的補償來保持工藝溫度平穩(wěn)冷卻，冷卻到溫度300℃-350℃后，芯片成品收進全自動下料盒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一個基島上同一工位的雙芯片或多芯片的封裝工藝，其特征是：所述加熱溫度380℃-430℃；加熱時間18s-35s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一個基島上同一工位的雙芯片或多芯片的封裝工藝，其特征是：所述點雙錫點是通過供錫系統(tǒng)XY方向的伺服馬達，根據(jù)人機交換界面，預先設計XY方向點坐標，伺服馬達向XY方向設定的坐標點移動間距，通過此實現(xiàn)兩點或者多點間的移動進行點雙錫點。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一個基島上同一工位的雙芯片或多芯片的封裝工藝，其特征是：所述點雙錫點移動間距Y區(qū)域之內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一個基島上同一工位的雙芯片或多芯片的封裝工藝，其特征是：所述壓膜雙點成型或單點成型移動間距Y區(qū)域之內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一個基島上同一工位的雙芯片或多芯片的封裝工藝，其特征是：所述綁定芯片是綁定頭結(jié)構(gòu)利用真空拾取晶圓上的芯片，運送到A芯片或B芯片位置后綁定芯片，Y向電機運動至預先給定的位置，電磁閥破壞拾取真空，使芯片置于事先壓膜后的基島上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一個基島上同一工位的雙芯片或多芯片的封裝工藝，其特征是：所述第四步綁定芯片：冷卻是通過熱電偶檢測軌道的實際溫度，當溫度低于設定溫度時，通過加熱對溫度進行補償，達到設定溫度。