[發(fā)明專利]車輛部件用低摩擦涂層及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210218701.3
• 申請(qǐng)日: 2012-06-27
• 公開（公告）號(hào): CN103101244A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔光勛;呂寅雄;洪雄杓;姜赫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 現(xiàn)代自動(dòng)車株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B32B9/04
• 分類號(hào): B32B9/04;B32B15/04;C23C14/14;C23C14/06
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種低摩擦涂層，其包括：

Ti層；

TiN層；

TiAgN層，其中所述TiN層被夾在所述Ti層與所述TiAgN層之間；和

轉(zhuǎn)移到所述TiAgN層的表面上的Ag層。

2.如權(quán)利要求1所述的低摩擦涂層，其中通過(guò)Ti電弧源將所述Ti層沉積在基材表面上；通過(guò)氮?dú)庵械腡i電弧源將所述TiN層沉積在所述Ti層上；通過(guò)Ti電弧源、Ag濺射源、和氮?dú)鈱⑺鯰iAgN層沉積在所述TiN層表面上；并且在通過(guò)Ag濺射源將Ag層沉積在所述TiAgN層的表面上之后，通過(guò)剪切和垂直載荷將所述Ag層轉(zhuǎn)移到所述TiAgN層的表面中。

3.如權(quán)利要求1所述的低摩擦涂層，其中所述Ti層、所述TiN層、所述TiAgN層和轉(zhuǎn)移的Ag層的厚度分別為0.08~0.15μm、0.05~0.1μm、1.5~2μm、和0.1μm或更薄。

4.如權(quán)利要求3所述的低摩擦涂層，其中所述Ag層為0.1~0.0000000001μm。

5.一種制造如權(quán)利要求1所述的低摩擦涂層的方法，其包括：

（a）清潔基材表面；

（b）將沉積室的內(nèi)部氣氛準(zhǔn)備成真空/高溫氣氛；

（c）通過(guò)Ti電弧源將Ti層沉積在所述基材表面；

（d）通過(guò)Ti電弧源和氮?dú)鈱iN層沉積在所述Ti層的表面；

（e）通過(guò)Ti電弧源、Ag濺射源和氮?dú)鈱iAgN層沉積在所述TiN層的表面；并且

（f）通過(guò)Ag濺射源將Ag層沉積在所述TiAgN層的表面。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括：

通過(guò)剪切和垂直載荷將所述Ag層轉(zhuǎn)移到所述TiAgN層的表面。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，步驟（b）中的所述真空/高溫氣氛包括約10^-5~10^-6托的真空和約400~500℃的高溫。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述Ti層形成為0.08~0.15μm的厚度。

9.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述TiN層形成為0.05~0.1μm的厚度。

10.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述TiAgN層形成為1.5~2μm的厚度。

11.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述Ag層形成為0.1μm或更薄的厚度。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述Ag層形成為0.1~0.0000000001μm的厚度。