[發明專利]一種無損吸收電路及工作方法有效
| 申請號: | 201210218304.6 | 申請日: | 2012-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN103516186A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 王猛 | 申請(專利權)人: | 艾默生網絡能源有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/32 | 分類號: | H02M1/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 無損 吸收 電路 工作 方法 | ||
技術領域
本發明涉及無線通信領域,尤其涉及一種無損吸收電路及工作方法。
背景技術
在電學領域存在著一種比較理想的拓撲電路結構,即三相維也納結構,由于這種結構的電路具有輸入電流紋波小、器件需求少、控制較簡單、成本需求比較低等優點,因此,在要求三相交流輸入大功率的情況下被廣泛應用。
如圖1所示,為三相維也納的電路結構圖。該電路中有三相電路,一相電路的連接結構為:電感L1與二極管D1的陽極相連,與二極管D4的陰極相連;二極管D1的陰極與電容C1的正極相連;二極管D4的陽極與電容C2的負極相連;電容C1的負極和電容C2的正極相連;電感L1、二極管D1的陽極和二極管D4的陰極三者相連的交叉點與開關管Q1的漏極相連;開關管Q1的源極與電容C1和電容C2的連接點相連。
三相維也納結構中的其他兩相電路中各器件之間的連接方式方式與上述一相電路的連接方式相同。
由于上述拓撲結構的電路使得開關管Q1的源極與漏極之間的電壓差較大,再加上在實際應用該拓撲結構的電路時,開關管Q1的漏極與二極管D1的陽極、二極管D4的陰極分別通過較長的導線相連,導致開關管Q1的漏極與二極管D1的陽極之間,以及開關管Q1的漏極與二極管D4的陰極之間存在隱性電感,使得開關管Q1在斷開一瞬間會產生很高的電壓尖峰。
為了避免開關管Q1在斷開一瞬間產生很高的電壓尖峰的問題,通常在開關管Q1的漏極和源極之間連接一個電感R1和一個電容C3,電感R1和電容C3串聯后,與開關管Q1形成并聯關系。通常稱這種電路為RC吸收電路。工作原理為:當開關管Q1發生斷開時,瞬間產生的電壓尖峰通過電感R1為電容C3充電;當開關管Q1發生連通時,電容C3實施放電操作,釋放的電量通過電感R1消耗。
這種RC結構的吸收電路,仍然存在以下缺點:
若電容C3的電容量較小,而當開關管Q1在斷開時產生的電壓尖峰太大時,RC吸收電路抑制電壓尖峰的效果并不好。
若電容C3的電容量足夠大,在開關管Q1斷開時,產生的較大的電壓尖峰能夠被電容C3吸收,但是在開關管Q1再次連通時,電容C3將會實施放電操作,此時,由于電容C3的電容量足夠大,因此電容C3釋放的電量較大,這些釋放的電量如果不能被電感R1消耗,則剩余的電量將會對開關管Q1中的輸出結電容產生影響,增加開關管的損耗,使得整機效率受到影響。
由此可見,目前的RC吸收電路并不能同時解決在開關管Q1斷開時很好的抑制產生的電壓尖峰和在開關管Q1連通時電壓應力差的問題。
發明內容
本發明實施例提供了一種無損吸收電路及工作方法,用于解決目前的RC吸收電路不能同時解決在開關管Q1斷開時很好的抑制產生的電壓尖峰和在開關管Q1連通時電壓應力差的問題。
一種無損吸收電路,所述無損吸收電路與三相維也納結構中的一相電路相連,包括:第一吸收電路,其中:
第一吸收電路中第一二極管(D7)的陽極與開關管(Q1)的漏極相連,第一吸收電路中電容(C3)一端與開關管(Q1)的源極相連;
第一吸收電路中的第一二極管(D7)的陰極與第一吸收電路中電容(C3)的另一端相連,第一吸收電路中第一二極管(D7)的陰極與第一吸收電路中電容(C3)相連的連接點與三相維也納結構中的第一電容(C1)的正極相連。
一種無損吸收電路的工作方法,所述方法包括:
當輸入電壓為正向電壓,且第一吸收電路中第一二極管(D7)的陽極與開關管(Q1)的漏極相連時,若開關管(Q1)處于斷開狀態,第一吸收電路中第一二極管(D7)導通,則第一吸收電路中電容(C3)充電;
若開關管(Q1)處于連通狀態,第一吸收電路中的第一二極管(D7)截止,則第一吸收電路中電容(C3)釋放的電量流向三相維也納結構中的第一電容(C1)。
本發明有益效果如下:
本發明實施例中由于電容(C3)的電容量足夠大時,在開關管(Q1)處于斷開狀態時,瞬間產生的電壓尖峰能夠被很好的抑制;在開關管(Q1)處于連通狀態時,電容(C3)釋放的電量被導向三相維也納結構中的第一電容(C1),避免了由于電容(C3)釋放的電量較大,回流至開關管(Q1)導致的電壓應力差的問題,并且減少了整個電路的器件消耗。
附圖說明
圖1為現有技術中的三相維也納結構的電路圖;
圖2(a)為本發明實施例一的一種無損吸收電路的結構示意圖;
圖2(b)為一種無損吸收電路的結構示意圖;
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