[發明專利]內嵌偽SRAM的LCD控制驅動電路

無效

• 申請號: 201210217457.9
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN103514827A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 李煜文
• 申請（專利權）人: 上海摩晶電子科技有限公司
• 主分類號: G09G3/18
• 分類號: G09G3/18;G09G3/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明用于LCD控制驅動電路的設計，提出了一種內嵌偽SRAM的LCD控制驅動電路的設計方法，即：通過用基于存儲單元類似DRAM單元的偽SRAM?替代傳統SRAM，可節省硅面積并降低成本。

背景技術

在小尺寸的LCD控制驅動電路中，需要內置SRAM，用來作顯示數據的緩和存儲。隨著便攜電子產品顯屏尺寸的增大和清晰度的提高，內置SRAM的容量要求越來越高。以QVGA?(320X240像素，RGB18位色清晰度)為例，所需緩沖區為14M。這意味著LCD控制器的相當一部分面積被SRAM占用。而且，LCD控制驅動電路一般由于高壓等原因，選用較老線寬較大的工藝，這意味著SRAM所占面積是昂貴的。

發明內容

本發明采用基于存儲單元類似DRAM單元的偽SRAM替代傳統SRAM節省硅面積，降低成本。其基本原理是：1)?在DRAM?周邊加設邏輯電路，使其讀寫操作相當于SRAM的讀寫操作；2)?增設刷新控制(自動REFRESH?CONTROL)電路，對DRAM電路進行自動刷新。

附圖說明

圖1是使用SRAM的LCD控制驅動電路典型的框圖。

圖2是本發明之LCD控制驅動電路典型的框圖,?主要增加了刷新控制電路。

具體實施方式

本發明之電路的實現可以參考通常偽SRAM及其刷新的設計方法。存儲電容可以由嵌入DRAM工藝的專用電容或MOS電容充當存儲器件.?按顯示數據處理的需要，可選用對稱或不對稱的讀寫開關(PASSGATE)，制成多端口的偽SRAM。