[發明專利]制作太能陽電池的方法無效

申請號：	201210217327.5	申請日：	2012-06-27
公開（公告）號：	CN102779898A	公開（公告）日：	2012-11-14
發明（設計）人：	黃明政;駱文欽;楊青天	申請（專利權）人：	友達光電股份有限公司
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18
代理公司：	北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006	代理人：	梁揮;祁建國
地址：	中國臺灣新竹科***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	制作陽電方法
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【說明書】：

技術領域

本發明是關于一種制作太能陽電池的方法，尤指一種利用單一制作過程同時形成具有粗糙表面的輕度摻雜區以及具有平坦表面的重度摻雜區的制作太能陽電池的方法。

背景技術

由于地球石油資源有限，因此近年來對于替代能源的需求與日俱增。在各式替代能源中，太陽能由于能夠通過自然界的循環而源源不絕，已成為目前最具發展潛力的綠色能源。

受限于高制作成本、制作過程復雜與光電轉換效率不佳等問題，太陽能的發展仍待進一步的突破。因此，制作低制作成本、具簡化制作過程與高光電轉換效率的太陽能電池，而使太陽能取代現行高污染與高風險的能源實為當前能產業最主要的發展方向之一。

為了提升光電轉換效率，目前業界研發出一種具有選擇性射極(selective?emitter)的太陽能電池。請參考圖1。圖1繪示了公知太陽能電池的示意圖。如圖1所示，公知太陽能電池1包括一基底2、一輕度摻雜區3、一重度摻雜區4、一第一電極5、一抗反射層6、一背表面電場結構(back?surface?field,BSF)7以及一第二電極8。基底2具有一第一表面21與一第二表面22，且為了增加入光量，基底2的第一表面21具有粗糙表面。輕度摻雜區3與重度摻雜區4形成于鄰近第一表面21的基底2內。第一電極5設置于重度摻雜區4上。抗反射層6位于輕度摻雜區3上。背表面電場結構7與第二電極8設置于基底2的第二表面22上。

由于重度摻雜區4與第一電極5具有較低的接觸電阻，因此理論上可提升太陽能電池1的光電轉換效率。然而，由于公知太陽能電池1的重度摻雜區4具有粗糙表面，因此盡管第一電極5與重度摻雜區4接觸，但第一電極5與重度摻雜區4之間的接觸電阻無法如預期降低，而影響太陽能電池1的光電轉換效率。此外，由于公知太陽能電池的基底2的第一表面21的粗糙表面利用濕法蝕刻制作過程形成，在此狀況下第一表面21的粗糙表面會具有較高的反射率，而使得入光量無法進一步提升。

發明內容

本發明的目的之一在于提供一種制作太能陽電池的方法，以提升光電轉換效率。

本發明的一較佳實施例提供一種制作太能陽電池的方法，包括下列步驟。提供一基底，其中基底具有一第一表面與相對于第一表面的一第二表面。進行一擴散制作過程，將一摻雜質擴散至基底內以形成一鄰近第一表面的一第一摻雜區，其中第一摻雜區具有一第一摻雜類型。形成一圖案化掩膜層于第一摻雜區上，其中圖案化掩膜層覆蓋部分第一摻雜區且暴露出部分第一摻雜區。移除被圖案化掩膜層所暴露出的部分第一摻雜區及其所含的部分摻雜質，以使圖案化掩膜層所暴露出的第一摻雜區形成一輕度摻雜區，其中輕度摻雜區具有一粗糙表面。移除圖案化掩膜層，以暴露出被圖案化掩膜層所覆蓋的部分第一摻雜區，其成為一重度摻雜區，且重度摻雜區具有一平坦表面。于基底內形成一鄰近第二表面的第二摻雜區，其中第二摻雜區具有一第二摻雜類型，且第一摻雜類型相反于第二摻雜類型。于基底的第一表面的重度摻雜區上形成一第一電極。

上述的制作太能陽電池的方法，其中該基底具有該第二摻雜類型。

上述的制作太能陽電池的方法，其中移除被該圖案化掩膜層所暴露出部分的該第一摻雜區及其所含的部分該摻雜質的步驟包括進行一干法蝕刻制作過程。

上述的制作太能陽電池的方法，另包括于該基底的該第一表面上形成一抗反射層。

上述的制作太能陽電池的方法，其中該第一電極以一印刷制作過程形成于該基底的該第一表面。

上述的制作太能陽電池的方法，另包括進行一燒結制作過程，以使該第一電極與該重度摻雜區接觸并電性連接。

上述的制作太能陽電池的方法，其中形成該第二摻雜區的步驟包括：

于該基底的該第二表面形成一金屬層；以及

利用該燒結制作過程使該金屬層與該基底形成金屬硅化物所構成的該第二摻雜區。

上述的制作太能陽電池的方法，更包含：

于該燒結制作過程之前，先利用一印刷制作過程于該金屬層上形成一第二電極；以及

對該第二電極與該金屬層進行該燒結制作過程。

上述的制作太能陽電池的方法，其中該第二摻雜區利用另一擴散制作過程形成。