[發(fā)明專利]互連結構的形成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210217264.3 | 申請日： | 2012-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN102751236A | 公開（公告）日： | 2012-10-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孔秋東;簡中祥;楊熙 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 互連 結構 形成 方法 | ||
1.一種互連結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底上形成有介質層、以及形成于介質層中的通孔；
通過化學氣相沉積工藝在所述通孔底部和側壁上沉積粘附層；
進行加熱處理；
在所述通孔中的粘附層上沉積金屬材料，直至填滿所述通孔，形成金屬互連線。
2.如權利要求1所述的互聯(lián)結構的形成方法，其特征在于，所述介質層的材質為低k材料或超低k材料。
3.如權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述粘附層的材質為氮化鈦。
4.如權利要求3所述的互連結構的形成方法，其特征在于，以四二甲基胺鈦為原料沉積所述粘附層。
5.如權利要求3或4所述互連結構的形成方法，其特征在于，通過化學氣相沉積工藝在所述通孔底部和側壁上沉積粘附層時，所述化學氣相沉積的具體參數(shù)包括：壓強在1～10mTorr范圍內，溫度在350～450℃范圍內。
6.如權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述粘附層的厚度在115～135nm范圍內。
7.如權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述加熱處理的加熱氣體為惰性氣體或氮氣，加熱的溫度在350～450℃范圍內，加熱的時間在10～90s范圍內。
8.如權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，通過化學氣相沉積工藝在所述通孔中的粘附層上沉積金屬材料，直至填滿所述通孔，形成金屬互連線。
9.如權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述金屬互連線的材質為鎢。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
