[發明專利]應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管

無效

• 申請號: 201210217051.0
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN102751407A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 馬駿;汪煉成;張逸韻;伊曉燕;王國宏
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，包括：

一襯底；

一載流子注入層，其形成于襯底上；

一發光層，其制作在載流子注入層上；

一石墨烯薄膜，其制作在發光層上；

一上金屬電極，其制作于石墨烯薄膜上。

一下金屬電極，其制作于載流子注入層上；

一支撐襯底，其制作于金屬電極上。

2.根據權利要求1所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中該載流子注入層的材料為：氮化銦鎵、氮化鋁鎵或氧化鋅。

3.根據權利要求2所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中該載流子注入層的導電類型為：N型或P型。

4.根據權利要求3所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中所述的制作載流子注入層，是采用金屬有機物化學汽相淀積或分子束外延制備。

5.根據權利要求1所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中該發光層為多周期結構，周期數為1-20。

6.根據權利要求1所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中所述的制備石墨烯薄膜是采用撕膠帶法、化學汽相淀積法或熱氧化法。

7.根據權利要求6所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中所述石墨烯薄膜的導電類型為：N型或P型。

8.根據權利要求7所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中所述石墨烯薄膜的材料為：單層或多層石墨烯薄膜。

9.根據權利要求1所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中所述制作下金屬電極和上金屬電極是采用光刻、刻蝕、沉積、腐蝕或蒸鍍。

10.根據權利要求1所述的應用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極管，其中支撐襯底的材料為銅、硅或陶瓷。