[發明專利]一種直流瓷絕緣子及其制備方法有效
| 申請號: | 201210216977.8 | 申請日: | 2012-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN102690104A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 楊志峰;朱文浩;劉少華;黃蘊君;羅杰;仲伯煊 | 申請(專利權)人: | 江蘇南瓷絕緣子有限公司 |
| 主分類號: | C04B33/13 | 分類號: | C04B33/13;C04B33/26 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王云 |
| 地址: | 212405 江蘇省鎮江市句容市邊城*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 直流 絕緣子 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種電瓷絕緣子,具體說是一種直流瓷絕緣子及其制備方法。
背景技術
電瓷坯料是指黏土原料和熔劑性原料及其他原料(石英、高鋁原料或其他礦物原料)按一定比例組成的混合物,經磨細和混合成為可供制坯用泥料,這種制坯用的泥料就簡稱為坯料。
在確定各種原料比例時必須保證坯料能滿足電瓷生產過程所要求的工藝性能和燒成后瓷質的物理性能要求。燒成前坯料的工藝性能只要取決于黏土原料的品質和用量,坯料的燒成工藝主要取決于熔劑原料。
電瓷在直流電場下的長期老化問題比交流電場下嚴重,主要關鍵是瓷材料:當其他條件相同時,電瓷材料組成中的堿金屬Na+在遷移過程中由于獲得電子,形成體積比離子體積大的原子,由此產生的局部膨脹應力是絕緣子破裂;當離子遷移時,瓷件內部形成電阻率不同的導電層,引起電場分布不均勻,在直流電場長時間作用下,使絕緣子擊穿。因此開發一種直流瓷絕緣子十分必要。
發明內容
發明目的:為了克服上述現有技術的不足,本發明提供了一種直流瓷絕緣子及其制備方法。
技術方案:為了解決上述目的,本發明采取的技術方案為:一種直流瓷絕緣子,主要由如下原料制成:高鋁粘土20-30%、氧化鋯5-10%、涇陽土10-20%、鉀長石5-10%、白膠泥15-24%、黑粘土4-11%、左云土5-10%,以上百分數均為質量百分數。
該配方中鉀長石作為主要的熔劑性原料,高鋁粘土、涇陽土、白膠泥、黑粘土、左云土作為主要的黏性原料。其中鉀長石應為低鈉鉀長石,鈉含量小于2.5%。
上述直流瓷絕緣子的制備方法:首先將原料按配好的比例稱料,加入基料原料總重量30%水得到漿料,然后對漿料進行球磨9h,得到的新漿料經過篩除鐵后進行榨泥,得到的泥餅在真空練泥機內擠制,得到的泥段再進行電陰干,最后成型、干燥后即得到生坯。生坯經上釉、燒結、膠裝后得到所述直流瓷絕緣子。
有益效果:與現有技術相比,本發明的優點是:該直流瓷絕緣子機械性能好且生產成本低,易于工藝控制。所用原料均為現有的普通陶瓷礦物原料,采用高鋁礬土和黑粘土,縮短球磨時間,既減少了成本又改善了工藝性能。為解決電瓷絕緣子在直流電場下的長期老化問題,本發明引入5-10%低鈉鉀長石,坯料化學成分中Na含量少于0.2%,阻止了電瓷材料中由于堿金屬鈉離子在遷移過程中產生的局部膨脹應力致使絕緣子破裂,同時更好地解決了當離子遷移時瓷件內部形成電阻率不同的導電層,引起電場分布不均勻,在直流電場長時間作用下使絕緣子擊穿問題。
具體實施方式
本發明直流瓷絕緣子制備及生產工藝步驟為:
首先將原料質量百分數為高鋁粘土20-30%、氧化鋯5-10%、涇陽土10-20%、鉀長石5-10%、白膠泥15-24%、黑粘土4-11%、左云土5-10%混合,加入基料原料總重量30%的水得到漿料,然后對漿料進行球磨9h,得到的新漿料經過篩除鐵后進行榨泥,得到的泥餅在真空練泥機內擠制,得到的泥段再進行電陰干,最后成型、干燥后即得到生坯。生坯經上釉、燒結、膠裝后得到直流瓷絕緣子。
高鋁礬土:Ai2O385%?、Fe2O3?1.3%、?SiO29.8%,產地廣東;
鉀長石:K2O11%、Na2O2.5%,產地福建;
黑粘土:SiO258%、Ai2O327%?產地廣西;
涇陽土:SiO245%、?Ai2O336%?產地湖南;
左云土:SiO257%?、Ai2O327%?產地山西;
白膠泥:SiO255%、?Ai2O330%?產地廣西。
下面的實施例是按照上述工藝步驟進行制備的,并通過具體的實施例對本發明做進一步的闡述。
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