[發明專利]顯示裝置及電子設備

有效

• 申請號: 201210216767.9
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN102707529A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 細谷邦雄
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

本申請是申請日為“2009年3月30日”、申請號為“200910128358.1”、題為“顯示裝置及其制造方法”的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種至少在像素部使用有薄膜晶體管的顯示裝置以及顯示裝置的制造方法，尤其涉及一種具有高開口率的像素部的顯示裝置以及顯示裝置的制造方法。

背景技術

近年，作為液晶電視等的顯示裝置的用途，對角為40英寸以上的大型液晶模塊的開發日益火熱。尤其是用于全高清（FHD）等的高清晰度的面板的需要較高。特別是對于用于液晶電視的液晶模塊不僅要求上述的高清晰度，而且要求對應于動畫顯示速度的高速響應性、優良的顏色再現性、足夠的亮度以及廣視角等各種各樣的特性。

現有的液晶電視用的液晶模塊應用有源矩陣型，即將使用非晶硅的薄膜晶體管（以下稱為TFT）用作主動元件的多個像素排列。尤其是作為TFT，普遍應用適用于大量生產的反交錯結構。至于具有該反交錯型非晶硅TFT的元件襯底，將最初形成在襯底上的導電膜（以下稱為第一導電膜）用作掃描信號線（或稱為柵極布線），并將形成在柵極絕緣膜上的導電膜（以下稱為第二導電膜）用作數據信號線（或稱為源極布線）。掃描信號線設置在相對于襯底平面的橫向上，并且數據信號線設置在相對于襯底平面的縱向上。

在現有的有源矩陣型顯示裝置中的像素結構中，設置有用來將數據信號保持一個幀周期的輔助電容部（也稱為附加電容器或存儲電容器）以便將。作為該輔助電容部采用以下方式之任一種：將成為輔助電容線的第一導電膜和設置在最上層的成為像素電極的透光導電膜作為電容電極（參照專利文獻1）；將成為輔助電容線的第一導電膜和與透光導電膜連接的第二導電膜作為電容電極（參照專利文獻2）。與掃描信號線平行地設置有輔助電容線。這些輔助電容部都在反交錯型TFT至像素電極的制造工序中同時形成，其基本思想在于抑制工序數目的增加。

另外，公開了如下結構：互相正交的柵極布線以及源極布線的大部分由第一導電膜形成，且在交叉部被分斷的源極布線利用第二導電膜進行交聯（參照專利文獻3）。另外，還公開了如下結構：作為輔助電容部在柵極絕緣膜上形成由氧化銦錫（ITO）構成的像素電極，并以夾著鈍化膜的方式形成由氧化銦錫（ITO）構成的相對電極（參照專利文獻4）。

[專利文獻1]日本專利申請公開Hei2-48639號公報

[專利文獻2]日本專利申請公開Hei6-202153號公報

[專利文獻3]日本專利申請公開Hei1-101519號公報

[專利文獻4]日本專利申請公開Hei5-289111號公報

在上述專利文獻1的結構中，作為電容電極間的介電薄膜，使用柵極絕緣膜、鈍化膜以及陽極氧化膜的疊層。在這種情況下，由于柵極絕緣膜、鈍化膜以及陽極氧化膜的厚度之和成為介電薄膜的厚度，所以介電薄膜整體的厚度變厚而導致可以保持的電容量變小。因此，需要增大輔助電容部的面積，但是由于輔助電容部的面積的增大會導致像素部的開口率的降低，所以不是優選的。

在上述專利文獻2的結構中，作為輔助電容部的介電薄膜使用柵極絕緣膜的單層，與專利文獻1中的情況相比可以將介電薄膜的厚度形成得薄。但是，一般地，柵極絕緣膜的厚度比鈍化膜的厚度厚。柵極絕緣膜的厚度是以TFT的電特性作為首要目的而設計的，并且還考慮TFT的電特性、柵極絕緣膜的絕緣耐壓性等來進行設計。因此，作為輔助電容部，根據在TFT一側設計的柵極絕緣膜的厚度，次要性地對面積等進行設計，以形成所希望的輔助電容部。

所以，從實現像素部的高開口率化的角度出發，僅將厚度最薄的鈍化膜作為輔助電容部的介電薄膜成為理想。但是，在以上述專利文獻1、上述專利文獻2為代表的現有的像素結構中，由于在襯底平面的縱向上設置的數據信號線使用第二導電膜形成，所以以橫穿該數據信號線的方式橫向延伸的輔助電容線不可能使用相同的第二導電膜來形成。所以，在現有的像素結構中，很難形成將透光導電膜和第二導電膜作為電容電極并僅將鈍化膜用作介電薄膜的輔助電容部。