[發(fā)明專利]氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB衰減片

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210216693.9
• 申請(qǐng)日: 2012-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN102709652A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司
• 主分類號(hào): H01P1/22
• 分類號(hào): H01P1/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB的衰減片。

背景技術(shù)

目前集成了三個(gè)膜狀電阻設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要的信號(hào)進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對(duì)相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。

由于國(guó)外對(duì)同類產(chǎn)品的研發(fā)與制造比國(guó)內(nèi)起步早，無論在產(chǎn)品系列還是產(chǎn)品特性上都處于優(yōu)勢(shì)地位。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上現(xiàn)有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對(duì)較窄。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足50±1.5Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為17±0.8dB，駐波要求輸入、輸出端在1.2以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的功率氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB衰減片，取代國(guó)外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的空白。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB衰減片其包括一尺寸為2＊3.5＊0.635MM的氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及膜狀電阻，所述導(dǎo)線連接所述膜狀電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氧化鋁基板的中心線對(duì)稱。

優(yōu)選的，所述膜狀電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。

優(yōu)選的，衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述焊盤沿氧

化鋁基板中心線對(duì)稱。

上述技術(shù)方案具有如下有益效果：該氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB衰減片讓衰減電路處于一個(gè)完全對(duì)稱的狀態(tài)，該產(chǎn)品體積小，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。

如圖1所示，該氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB衰減片包括一尺寸為2＊3.5＊0.635MM的氧化鋁基板1，氧化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氧化鋁基板1的正面印刷有導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3，膜狀電阻R1、R2、R3通過導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對(duì)稱，膜狀電阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保護(hù)膜3，導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，這樣可對(duì)導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3形成保護(hù)。

該氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50±1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50±1.5Ω。信號(hào)輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過膜狀電阻R1、R3、R2對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。

該氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB衰減片以2＊3.5＊0.635MM的氧化鋁基板作為基板，該產(chǎn)品體積小，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，同時(shí)特殊的設(shè)計(jì)讓衰減電路處于一個(gè)完全對(duì)稱的狀態(tài)，使得電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使其能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。

以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種氧化鋁陶瓷基板1瓦17dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。