[發(fā)明專利]窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片

無效

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• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN102709651A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 陳建良
• 申請（專利權）人: 蘇州市新誠氏電子有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉一種氮化鋁陶瓷基板負載片，特別涉及一種窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片。

背景技術

氮化鋁陶瓷基板負載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率，如果不能承受要求的功率，負載就會燒壞，可能導致整個設備燒壞。目前大多數通訊基站都是應用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，要求基本的尺寸越來越小，而需要吸收的功率越來越大。

目前國內功率能達到150瓦負載片一種是選用BeO材料，這種材料是有毒的，在生產過程中很容易對環(huán)境造成污染，對生產人員的身體健康帶來一定的危害。另一種是使用較大尺寸的氮化鋁基板(基板尺寸為6.35＊9.55＊1mm)，這種大尺寸的氮化鋁基板并不滿足通行基站小型化的要求。目前國內氮化鋁基板在5.7＊8.9＊1mm的尺寸上只能做出能承受100W功率的負載片。

發(fā)明內容

針對上述現有技術的不足，本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種能夠承受150W的功率性能優(yōu)越的氮化鋁陶瓷基板負載片。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案：

一種窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片，其包括一尺寸為5.7＊8.9＊1mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導線，所述導線連接所述電阻形成負載電路，所述負載電路的接地端與所述背導層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。

優(yōu)選的，所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。

優(yōu)選的，所述背導層及導線由導電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。

優(yōu)選的，所述電路中導線轉彎處采用斜切角設計

上述技術方案具有如下有益效果：該結構的窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片具有良好的VSWR性能，2G頻段以內的駐波比達到1.05∶1，3G頻段以內的駐波比達到1.10∶1，在尺寸為5.7＊8.9＊1.0mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到150W。同時滿足了客戶需要在設備上橫向擺放負載片進行焊接的要求。

上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細給出。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。

如圖1所示，該窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片

包括一尺寸為5.7＊8.9＊1mm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導層，氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導線2，導線2連接電阻3形成負載電路，負載電路的接地端與背導層通過銀漿電連接，從而使負載電路接地導通。背導層及導線2由導電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。電阻3上印刷有玻璃保護膜4。導線2及玻璃保護膜4的上表面還印刷有一層黑色保護膜5。

該結構的窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片，通過線路的優(yōu)化設計，把焊盤設計在寬邊，把接地設計在窄邊，得到了良好的VSWR性能，2G頻段以內的駐波比達到1.05∶1，3G頻段以內的駐波比達到1.10：1，在尺寸為5.7＊8.9＊1mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到150W，同時使其特性達到了3G，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設備進行良好的匹配。據檢測該氮化鋁陶瓷基板負載片能承受的功率非常穩(wěn)定，能夠完全達到通信期間吸收所需要功率的要求，

以上對本發(fā)明實施例所提供的一種窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片進行了詳細介紹，對于本領域的一般技術人員，依據本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內。