[發(fā)明專利]氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB衰減片無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210216660.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102723560A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳建良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01P1/22 | 分類號(hào): | H01P1/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215129 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化鋁陶瓷 14 db 衰減 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片,特別涉及一種氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB的衰減片。
背景技術(shù)
目前集成了三個(gè)膜狀電阻設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率,而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要的信號(hào)進(jìn)行分析,并在高頻電路上調(diào)整功率電平,去耦,對(duì)相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。
由于國(guó)外對(duì)同類產(chǎn)品的研發(fā)與制造比國(guó)內(nèi)起步早,無論在產(chǎn)品系列還是產(chǎn)品特性上都處于優(yōu)勢(shì)地位。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上現(xiàn)有的衰減片衰減精度低,且能使用的頻段相對(duì)較窄。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件,不能對(duì)兩端電路有影響,也就是說,與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí),輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足50±1.5Ω,在3G頻段以內(nèi)衰減精度為14±0.8dB,駐波要求輸入、輸出端在1.2以內(nèi)能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的功率氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB衰減片,取代國(guó)外同類產(chǎn)品,并在特性上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的空白。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB衰減片其包括一尺寸為2*3.5*0.635MM的氧化鋁基板,所述氧化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層,所述氧化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻,所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成T型衰減電路,所述衰減電路沿所述氧化鋁基板的中心線對(duì)稱,所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接。
優(yōu)選的,所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
優(yōu)選的,所述導(dǎo)線從焊盤中間引出。
優(yōu)選的,所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層耐電鍍保護(hù)膜。
上述技術(shù)方案具有如下有益效果:氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB衰減片讓衰減電路處于一個(gè)完全對(duì)稱的狀態(tài),所敘述導(dǎo)線從焊盤底部引出,使得在此衰減電路中得到優(yōu)異的駐波,使得電路的穩(wěn)定性得到提升,同時(shí)客戶在使用時(shí)不需要刻意的區(qū)分輸入端和輸出端,極大的方便了客戶,也減少了客戶在生產(chǎn)中因?yàn)檩斎胼敵龆撕附渝e(cuò)誤導(dǎo)致不良品的產(chǎn)生體現(xiàn)了人性化防呆設(shè)計(jì),并兼顧了固定電阻式衰減片的各項(xiàng)指標(biāo),增加了功率容量,擴(kuò)大了產(chǎn)品線的范圍,也打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面,使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò),填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)的空白。同時(shí)不同衰減值的系列產(chǎn)品線擴(kuò)大了使用范圍,給市場(chǎng)多種的選擇。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
如圖1所示,該氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB衰減片包括一2*3.5*0.635MM的氧化鋁基板1,氧化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層,氧化鋁基板1的正面印刷有導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3,膜狀電阻R1、R2、R3通過導(dǎo)線連接形成衰減電路,衰減電路通過銀漿與背導(dǎo)層電連接,從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對(duì)稱,膜狀電阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保護(hù)膜3,導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層耐電鍍保護(hù)膜4,這樣可對(duì)導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3形成保護(hù)。
該氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50±1.5Ω,輸出端和接地端的阻抗為50±1.5Ω。信號(hào)輸入端進(jìn)入衰減片,經(jīng)過膜狀電阻R1、R3、R2對(duì)功率的逐步吸收,從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
該氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB衰減片讓衰減電路處于一個(gè)完全對(duì)稱的狀態(tài),所敘述導(dǎo)線從焊盤底部引出,使得在此衰減電路中得到優(yōu)異的駐波,使得電路的穩(wěn)定性得到提升,同時(shí)客戶在使用時(shí)不需要刻意的區(qū)分輸入端和輸出端,極大的方便了客戶,也減少了客戶在生產(chǎn)中因?yàn)檩斎胼敵龆撕附渝e(cuò)誤導(dǎo)致不良品的產(chǎn)生體現(xiàn)了人性化防呆設(shè)計(jì),并兼顧了固定電阻式衰減片的各項(xiàng)指標(biāo),增加了功率容量,擴(kuò)大了產(chǎn)品線的范圍,也打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面,使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò),填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)的空白。同時(shí)不同衰減值的系列產(chǎn)品線擴(kuò)大了使用范圍,給市場(chǎng)多種的選擇。
以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種氧化鋁陶瓷基板1瓦14dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹,對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想,在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制,凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
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