[發明專利]氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片

無效

• 申請號: 201210216598.9
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN102709646A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 陳建良
• 申請（專利權）人: 蘇州市新誠氏電子有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB的衰減片。

背景技術

目前集成了三個膜狀電阻設計的衰減片廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域。使用負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時還能抽取需要的信號進行分析，并在高頻電路上調整功率電平，去耦，對相關設備起到了保護作用。

由于國外對同類產品的研發與制造比國內起步早，無論在產品系列還是產品特性上都處于優勢地位。同時國內市場上現有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。

發明內容

針對上述現有技術的不足，本發明要解決的技術問題是提供一種阻抗滿足50±1.5Ω，在3G頻段以內衰減精度為13±0.8dB，駐波要求輸入、輸出端在1.2以內，能夠滿足目前3G網絡的應用要求的功率氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片，取代國外同類產品，并在特性上填補國內產品的空白。

為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：

一種氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片，其包括一2*3.5*0.635MM的氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導線及膜狀電阻，所述導線連接所述膜狀電阻連接形成T型衰減電路。此衰減片在生產中采用高溫陶瓷與漿料共燒技術，使陶瓷金屬化而產生電路性能，減少了多次燒結可能對產品產生的破壞性影響，減少使用中壞掉的風險。

優選的，所述膜狀電阻上印刷有高溫燒結電阻保護膜。

優選的，所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層環氧樹脂藍色保護膜。

優選的，所述衰減電路沿所述氧化鋁基板的中心線對稱。

上述技術方案具有如下有益效果：該氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片采用高溫陶瓷與漿料共燒技術，使陶瓷金屬化而產生電路性能，減少了多次燒結可能對產品產生的破壞性影響，減少使用中壞掉的風險。

衰減電路處于一個完全對稱的狀態，電路的穩定性得到提升，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于2G-3G的網絡。可廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環形器等微波產品的生產。

上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發明的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細給出。

附圖說明

圖1為本發明實施例的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的優選實施例進行詳細介紹。

如圖1所示，該氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片包括一尺寸為2*3.5*0.635MM的氧化鋁基板1，氧化鋁基板1的背面印刷有背導層，氧化鋁基板1的正面印刷有導線2及膜狀電阻R1、R2、R3，膜狀電阻R1、R2、R3通過導線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導層電連接，從而使衰減電路接地導通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對稱，膜狀電阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保護膜3，導線2及高溫燒結電阻保護膜3的上表面還印刷有一層環氧樹脂藍色保護膜4，這樣可對導線2及膜狀電阻R1、R2、R3形成保護。

該氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50±1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50±1.5Ω。信號輸入端進入衰減片，經過膜狀電阻R1、R3、R2對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。

該氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片采用高溫陶瓷與漿料共燒技術，使陶瓷金屬化而產生電路性能，減少了多次燒結可能對產品產生的破壞性影響，減少使用中壞掉的風險。

衰減電路處于一個完全對稱的狀態，電路的穩定性得到提升，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于2G-3G的網絡。可廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環形器等微波產品的生產。

以上對本發明實施例所提供的一種氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片進行了詳細介紹，對于本領域的一般技術人員，依據本發明實施例的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制，凡依本發明設計思想所做的任何改變都在本發明的保護范圍之內。