[發明專利]直接在鈦基底上生長氧化鎳、氧化鈷及其復合物儲能材料

無效

• 申請號: 201210216523.0
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN102719811A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 肖鵬;楊飛;周明;姚建玉;張云懷;蒙小琴;李小玲;王志峰;袁履輝
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: C23C18/12
• 分類號: C23C18/12;C25D11/26
• 代理公司: 北京瑞盟知識產權代理有限公司 11300
• 代理人: 趙秉森

1.直接在鈦基底上生長氧化鎳、氧化鈷及其復合物儲能材料的方法，其特征在于，包括以下步驟：

a、鈦基底的處理：將鈦片依次在稀鹽酸、無水乙醇和去離子水中分別超聲清洗5～10min，將清洗晾干后的鈦片作為陽極，鉑片作為陰極置于0.05～0.5mol/L的HF溶液中，在10～30V的電壓下常溫反應1.0h，在鈦基底表面制得二氧化鈦納米管(TiO₂NT)，再將所得的TiO₂NT在氮氣氛圍中焙燒3h，焙燒溫度為400～500℃，以改善TiO₂NT的導電性；

b、將a步驟處理過的鈦基底在檸檬酸溶液中(PH＝1.5)浸泡12～24h，以增加TiO₂NT管壁羥基的數量；

c、金屬鹽溶液的配置：將一定量的水合過渡金屬鹽溶于水中，配制成濃度范圍為0.02mol/L～0.08mol/L的溶液；

d、前軀體溶液：稱取一定量的尿素溶于c溶液中，保持過渡金屬鹽與尿素的物質的量之比為1∶5；

e、將經過b步驟處理過的鈦基底正面朝下，與反應釜內襯呈45°傾斜置于容積為50ml的聚四氟乙烯反應釜內襯中，再將c步驟的溶液30ml轉移至該聚四氟乙烯反應釜內襯中；

f、將e步驟的反應釜置于烘箱中，在90～160℃下，反應8～16h；

g、取出f中鈦基底，分別用去離子水和乙醇沖洗，干燥后于300～400℃的N2氣氛下焙燒3h；

所述水合金屬鹽為水合鎳鹽、水合鈷鹽、水合鎳鹽和水合鈷鹽的混合鹽。