[發明專利]氮化鋁陶瓷基板30瓦26dB衰減片無效
| 申請號： | 201210216514.1 | 申請日： | 2012-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN102723550A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發明（設計）人： | 陳建良 | 申請（專利權）人： | 蘇州市新誠氏電子有限公司 |
| 主分類號： | H01P1/22 | 分類號： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215129 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 陶瓷 30 26 db 衰減 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鋁陶瓷基板30瓦26dB衰減片，其特征在于：其包括一尺寸為5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及膜狀電阻，所述導線連接所述膜狀電阻連接形成T型衰減電路。
2.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦26dB衰減片，所述背導層及導線由導電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
3.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦26dB衰減片，其特征在于：所述電阻采用多次電阻印刷一次成型技術。
4.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦26dB衰減片，其特征在于：所述背導和所述導線采用單邊接地技術連接而成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州市新誠氏電子有限公司，未經蘇州市新誠氏電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210216514.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種帶永磁體的薄板鉆
- 下一篇：稀疏模式協議無關組播通知匯聚點的方法和裝置
