[發明專利]氮化鋁陶瓷基板30瓦8dB衰減片無效

申請號：	201210216164.9	申請日：	2012-06-28
公開（公告）號：	CN102709636A	公開（公告）日：	2012-10-03
發明（設計）人：	陳建良	申請（專利權）人：	蘇州市新誠氏電子有限公司
主分類號：	H01P1/22	分類號：	H01P1/22
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	215129 江蘇省蘇州市***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	氮化陶瓷 30 db 衰減
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【權利要求書】：

1.一種氮化鋁陶瓷基板30瓦8dB衰減片，其特征在于：其包括一5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。

2.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦8dB衰減片，其特征在于：所述電阻上印刷有高溫電阻保護膜。

3.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦8dB衰減片，其特征在于：所述導線及高溫電阻保護膜的上表面還印刷有一層耐酸堿腐蝕保護膜。

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