[發明專利]一種用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝無效
| 申請號： | 201210215687.1 | 申請日： | 2012-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN102738305A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 馬桂艷;宋連勝;張東升 | 申請（專利權）人： | 英利能源（中國）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/223;C30B31/06;C30B31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏曉波;李麗 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 晶體 太陽能電池 生產 擴散 工藝 | ||
1.一種用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，該工藝過程包括以下步驟：
S1、將含有磷源的氣體通入一定溫度的石英管內部，并維持預定時間以便所述磷源中的磷原子沉積于硅片上；
S2、通入預定量的含氧的氣體于所述石英管內部，并維持預定時間以便于所述硅片表面形成氧化硅層；
S3、維持所述石英管于預定溫度范圍內一定時間以便步驟S1中所述磷原子向所述硅片的晶體硅層和所述氧化硅層雙方向推進。
2.如權利要求1所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，在所述步驟S1中，所述磷源為POCl3，所述氣體為氧氣和氮氣的混合氣體。
3.如權利要求2所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，氧氣的通入量的范圍為300-1000sccm；氮氣的通入量的范圍為1000-2000sccm。
4.如權利要求2所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，在所述步驟S1中，通入氣體后維持所述預定時間為10-20min。
5.如權利要求1所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，在所述步驟S2中，所述含氧的氣體為氧氣。
6.如權利要求5所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，氧氣通入預定量的范圍為1500-2000sccm。
7.如權利要求5所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，在所述步驟S2中，通入氣體后維持時間為5-10min。
8.如權利要求1所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，在所述步驟S3中，預定溫度范圍為800-860攝氏度。
9.如權利要求8所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，維持硅片于預定溫度范圍內的時間范圍為10-15min。
10.如權利要求1所述的用于晶體硅太陽能電池生產的磷擴散工藝，其特征在于，在所述步驟S2中，所述含氧的氣體為氧氣和水蒸氣的混合氣體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
