[發(fā)明專利]一種利用規(guī)則陣列結(jié)構(gòu)減小金屬二次電子發(fā)射系數(shù)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210215615.7
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN102795591A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賀永寧;葉鳴;崔萬照;王瑞;胡天存;黃光孫
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué);西安空間無線電技術(shù)研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 徐文權(quán)

1.一種利用規(guī)則陣列結(jié)構(gòu)減小金屬二次電子發(fā)射系數(shù)的方法，其特征在于，包括如下步驟：對待處理金屬樣片依次進行超聲清洗、旋轉(zhuǎn)涂膠、烘烤、曝光、烘烤、顯影處理；對進行上述處理過的樣片在刻蝕液進行腐蝕，形成微米結(jié)構(gòu)陣列，根據(jù)對金屬表面的二次電子發(fā)射系數(shù)要求決定微米結(jié)構(gòu)的深寬比或孔隙率，從而決定掩膜版圖形設(shè)計及其刻蝕工藝參數(shù)；腐蝕完畢的樣片進行去膠和超聲清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述金屬是金、銅或鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括如下步驟：在腐蝕時，通過控制腐蝕液成分，實現(xiàn)微米級陣列結(jié)構(gòu)及亞微米兩級結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述微米結(jié)構(gòu)為圓孔或者矩形槽結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：微米結(jié)構(gòu)尺寸在幾微米至幾十微米。