[發(fā)明專利]金屬點(diǎn)陣誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210215016.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-27
• 公開（公告）號(hào): CN102751175A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱開貴;陳芳芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化形成硅晶粒點(diǎn)陣的方法，其特征在于步驟在于：（1）金屬點(diǎn)陣的制備；（2）非晶硅薄膜的制備；(3)非晶硅薄膜的金屬誘導(dǎo)晶化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述金屬誘導(dǎo)非晶硅晶化方法，其特征在與通過金屬點(diǎn)陣來誘導(dǎo)非晶硅薄膜的晶化，從而使得晶化的硅晶粒排列成相應(yīng)的點(diǎn)陣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的金屬誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化方法，金屬點(diǎn)陣材料可以是Ni、Al、Au、Ag、Pd、Ti、Cr等可用于誘導(dǎo)非晶硅晶化的金屬材料中的一種或幾種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3所述的金屬誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化方法，金屬點(diǎn)陣的制備方法可以通過光刻和金屬薄膜的制備相結(jié)合的方法，或其他掩模制備和金屬薄膜相結(jié)合的方法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3和4所述的金屬誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化的方法，金屬薄膜的制備可以用蒸發(fā)的方法、濺射的方法、電鍍的方法等薄膜制備方法中的任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3和4所述的金屬誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化的方法，制備金屬點(diǎn)陣的方法可以通過光刻、納米球刻蝕、電子束刻蝕、等離子體刻蝕等制備制版方法中的一種或幾種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、5和6所述的金屬誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化的方法，金屬點(diǎn)陣中金屬點(diǎn)的尺寸、點(diǎn)之間的距離可以大于、小于或等于幾微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬誘導(dǎo)非晶硅薄膜的晶化方法，非晶硅薄膜的制備可以采用化學(xué)氣相沉積（CVD或PECVD）、蒸發(fā)等制備非晶硅薄膜的方法。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述金屬誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化的方法，非晶硅薄膜的金屬誘導(dǎo)晶化可以采用電阻加熱退火、激光加熱退火等退火的方式。退火可以再氣氛保護(hù)或真空環(huán)境下進(jìn)行。

本發(fā)明說明書中未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。