[發明專利]晶片加工方法有效
| 申請號: | 201210214937.X | 申請日: | 2012-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN103177943B | 公開(公告)日: | 2017-05-17 |
| 發明(設計)人: | 關家一馬 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 黨曉林,王小東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
技術區域
本發明涉及晶片加工方法,該晶片加工方法為:使波長相對于晶片具有透過性的激光從晶片的背面側沿分割預定線照射,在晶片的內部聚光而形成變質層時,在未形成有器件的外周剩余區域不會形成變質層。
背景技術
通過將由分割預定線劃分開并形成有多個器件的晶片沿分割預定線切斷而分割成為多個器件。例如,晶片在藍寶石基板、碳化硅基板等的表面形成氮化鎵(GaN)等外延層(外延層),由分割預定線劃分開并在外延層形成有LED等多個光器件,通過沿分割預定線照射激光光線而將所述晶片分割成一個個的光器件,并用于照明設備,液晶電視、個人電腦等各類設備。
作為所述分割晶片的方法,存在下述方法:使用相對于藍寶石基板具有吸收性的例如波長為266nm的激光光線,沿分割預定線施以燒蝕加工從而在表面形成分割槽,通過對分割槽施加外力將晶片分割為一個個的光器件。(例如,參考專利文獻1)。
但是,這種方法存在著因燒蝕加工而在光器件的外周附著熔融物,使得光器件的亮度降低的問題。
因此,為了避免所述問題,下述方法已被實際應用:使用相對于藍寶石基板具有透過性的例如波長為1064nm的激光光線,從沒有形成外延層的背面側使聚光點會聚在分割預定線的內部并照射激光光線,沿分割預定線在內部形成變質層,然后,通過對晶片施加外力,沿分割預定線將晶片分割開。根據所述方法,能夠抑制熔融物的產生(例如,參考專利文獻2)。
專利文獻1:日本特開平10-305420號公報
專利文獻2:日本專利第3408805號公報
但是,如果在晶片的內部形成變質層的話,存在著在后續搬運時使晶片以變質層為起點發生斷裂的問題。而且,如果在光器件晶片的背面形成了由金、鋁等構成的反射膜的話,存在著無法從背面側照射激光光線的問題。
發明內容
本發明就是鑒于這樣的問題而完成的,其課題在于,對于在晶片的內部形成變質層的情況下,能夠防止在搬運時晶片以變質層為起點發生斷裂的問題,并且即使是在晶片的背面形成有反射膜的情況下也能夠通過激光光線的照射在晶片的內部形成變質層。
本發明是一種晶片加工方法,所述晶片具備器件區域和圍繞器件區域的外周剩余區域,所述器件區域由多個分割預定線劃分開并表面形成有多個器件,所述晶片加工方法至少包括下述工序:變質層形成工序,在該變質層形成工序中,以保持構件保持晶片的表面側,將波長相對于晶片具有透過性的激光光線的聚光點定位在分割預定線的內部并從晶片的背面側進行照射,沿著分割預定線形成作為分割的起點的變質層;以及搬運工序,在該搬運工序中,將晶片從保持構件搬出并將該晶片搬運至下一工序,在變質層形成工序中,在晶片外周剩余區域未形成有變質層而是形成外周加強部。
在晶片是光器件晶片的情況下,在搬運工序中將晶片搬運到背面加工工序,所述背面加工工序用于在晶片的背面形成反射膜,所述光器件晶片在藍寶石基板的表面層疊有外延層,在所述外延層在由分割預定線劃分出的多個區域形成有光器件。
在變質層形成工序之后,進行分割工序,在該分割工序中,對晶片的分割預定線施以外力而將所述晶片分割成一個個的器件。
在本發明中,在變質層形成工序中,因為使外周剩余區域未形成有變質層而是作為外周加強部保留,因此在之后的搬運工序中晶片就不會以變質層為起點發生斷裂。而且,即使是要在背面形成反射膜的晶片,因為在進行變質層形成工序的時候還未在背面形成反射膜,所以無論是不是要在背面形成反射膜的晶片,都能夠沿分割預定線在內部形成變質層。并且,由于晶片不會斷裂,能夠將晶片搬運至背面加工工序,從而能夠在晶片的背面形成反射膜,還能夠應對光器件晶片的制造。
附圖說明
圖1是示出在晶片的表面粘著保護部件的狀態的立體圖。
圖2是示出將粘著在晶片的表面的保護部件的一側保持于保持構件的立體圖。
圖3是示出在晶片的內部形成變質層的形態的立體圖。
圖4是示出在晶片的內部形成變質層的形態的剖視圖。
圖5是示出在內部形成有變質層的晶片的立體圖。
圖6是示出外周加強部及變質層的剖視圖。
圖7是示出對保持構件所保持的晶片進行搬運的狀態的主視圖。
圖8是示出在背面覆蓋有反射膜的晶片的主視圖。
圖9是示出在背面的反射膜側粘著有切割帶并與框架成為一體的、將粘著在表面的保護帶剝離后的晶片的立體圖。
圖10是示出分割工序的剖視圖。
圖11是將晶片的其他實例放大示出的俯視圖。
標號說明
W、Wx:晶片;
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





