[發明專利]溝槽晶體管和溝槽晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201210214621.0
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN102856379A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: F.希爾勒;M.佩爾茨爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;李家麟

1.一種半導體器件，包括：

半導體本體，所述半導體本體包括第一表面和第二表面；

溝槽結構，所述溝槽結構從所述第一表面延伸到所述半導體本體內，所述溝槽結構包括在所述溝槽結構的第一部分中的第一柵極介電部分和第一柵極電極部分，以及在所述溝槽結構的第二部分中的第二柵極介電部分和第二柵極電極部分，其中所述第一部分中的所述溝槽結構的寬度等于所述第二部分中的所述溝槽結構的寬度；

本體區，所述本體區在所述溝槽結構的側壁處毗連所述第一柵極介電部分和第二柵極介電部分；并且

其中，所述第一柵極介電部分的底部邊緣與所述第一表面之間的距離d₁和所述第二柵極介電部分的底部邊緣與所述第一表面之間的距離d₂滿足50?nm?<?d₁?-?d₂。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括毗連所述第一柵極介電部分和第二柵極介電部分的源極區。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括布置在所述第一柵極電極部分的所述底部邊緣下面的至少一個場電極。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，包括布置在所述溝槽結構的所述第一部分中的所述第一柵極電極部分下面的第一場電極部分和布置在所述溝槽結構的所述第二部分中的所述第二柵極電極部分下面的第二場電極部分，其中，所述第一場電極部分的頂部邊緣與所述第一表面之間的距離小于所述第二場電極部分的頂部邊緣與所述第一表面之間的距離。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一柵極電極部分和所述第二柵極電極部分是溝槽中的一個連續的柵極電極的部分。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，包括多個第一柵極電極部分和多個第二柵極電極部分，其中，所述多個第一柵極電極部分和所述多個第二柵極電極部分被交替地布置在所述溝槽內。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，包括多個溝槽，每個溝槽都包括交替地布置的所述多個第一柵極電極部分和所述多個第二柵極電極部分，其中，所述溝槽中的相鄰溝槽之間的橫向距離l₁和所述溝槽中的一個溝槽中的所述第一柵極電極部分之間的節距p相對于到所述第一表面200?nm的參考水平面深度滿足關系p?<?2?x?l₁。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，進一步包括

第一場電極部分，在所述溝槽結構的所述第一部分中布置在所述第一柵極電極部分下面；

第二場電極部分，在所述溝槽結構的所述第二部分中布置在所述第二柵極電極部分下面；并且

其中，所述第一場電極部分的頂部邊緣與所述第一表面之間的距離等于所述第二場電極部分的頂部邊緣與所述第一表面之間的距離。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝槽結構的所述第一部分包括第一溝槽，并且所述溝槽結構的所述第二部分包括第二溝槽。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽被成形為帶并且彼此平行地延伸。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述本體區由在一側由所述第一溝槽在另一側由所述第二溝槽橫向地限制。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一柵極電極部分被電連接至所述第二柵極電極部分。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體器件是場效應結構。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述場效應結構是場效應晶體管。