[發明專利]半導體器件中MOS晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 201210214366.X
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN102751198A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 令海陽;黃慶豐;吳小利
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種形成半導體器件中MOS晶體管的方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成第一柵極、第二柵極、第三柵極、第四柵極以及柵介質層；

在第一柵極兩側形成第一N型輕摻雜源區、第一N型輕摻雜漏區；

不形成掩膜層，直接對所述襯底進行第一P型離子注入，在第二柵極兩側形成第一P型輕摻雜源區、第一P型輕摻雜漏區；

在第三柵極兩側形成第二P型輕摻雜源區、第二P型輕摻雜漏區；

在第四柵極兩側形成第二N型輕摻雜源區、第二N型輕摻雜漏區；所述第一P型輕摻雜源區和第一P型輕摻雜漏區的深度大于所述第一N型輕摻雜源區、第一N型輕摻雜漏區、第二P型輕摻雜源區、第二P型輕摻雜漏區、第二N型輕摻雜源區、第二N型輕摻雜漏區的深度；

在所述第一柵極、第二柵極、第三柵極、第四柵極四周形成側墻；

形成側墻后，在所述襯底中、第一柵極、第二柵極、第三柵極、第四柵極兩側形成源極和漏極，至此形成了第一MOS晶體管、第二MOS晶體管、第三MOS晶體管和第四MOS晶體管。

2.如權利要求1所述的形成半導體器件中晶體管的方法，其特征在于，所述第一P型離子注入的離子類型為BF₂，能量為14Kev-16Kev，劑量為2.3-2.7×10¹³。

3.如權利要求1所述的形成半導體器件中晶體管的方法，其特征在于，在第一柵極兩側形成第一N型輕摻雜源區、第一N型輕摻雜漏區的方法包括：

形成第一圖形化的掩膜層，以所述第一圖形化的掩膜層為掩膜對所述襯底進行第一N型離子注入，在第一柵極兩側形成第一N型輕摻雜源區、第一N型輕摻雜漏區；

去除所述第一圖形化的掩膜層。

4.如權利要求3所述的形成半導體器件中晶體管的方法，其特征在于，所述第一N型離子注入的離子類型為As，能量為1.8Kev-2.2Kev，劑量為1.0-1.4×10¹⁵。

5.如權利要求1所述的形成半導體器件中晶體管的方法，其特征在于，在第三柵極兩側形成第二P型輕摻雜源區、第二P型輕摻雜漏區的方法包括：

形成第二圖形化的掩膜層，以所述第二圖形化的掩膜層為掩膜對所述襯底進行第二P型離子注入，在第三柵極兩側形成第二P型輕摻雜源區、第二P型輕摻雜漏區；

去除所述第二圖形化的掩膜層。

6.如權利要求5所述的形成半導體器件中晶體管的方法，其特征在于，所述第二P型離子注入的離子類型為BF₂，能量為2.8Kev-3.2Kev，劑量為2.5-2.7×10¹⁴。

7.如權利要求1所述的形成半導體器件中晶體管的方法，其特征在于，在第四柵極兩側形成第二N型輕摻雜源區、第二N型輕摻雜漏區的方法包括：

形成第三圖形化的掩膜層，以所述第三圖形化的掩膜層為掩膜對所述襯底進行第二N型離子注入，在第四柵極兩側形成第二N型輕摻雜源區、第二N型輕摻雜漏區；

去除所述第三圖形化的掩膜層。

8.如權利要求7所述的形成半導體器件中晶體管的方法，其特征在于，所述第二N型離子注入的離子類型為P，能量為25Kev-35Kev，劑量為4.0-5.0×10¹³。

9.如權利要求1所述的形成半導體器件中晶體管的方法，其特征在于，所述半導體器件為CMOS圖像傳感器。