[發明專利]一種在柔性襯底上的薄膜晶體管的制備方法

無效

• 申請號: 201210213660.9
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN103515236A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 韓德棟;王薇;蔡劍;王亮亮;耿友峰;劉力鋒;王漪;張盛東;劉曉彥;康晉鋒
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 張肖琪

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

1）在柔性塑料的襯底上生長一層透明的導電薄膜，光刻刻蝕形成柵電極；

2）光刻柵介質層和溝道層的圖案，生長一層絕緣材料作為柵介質層，緊接著生長一層摻鋁的氧化鋅半導體材料，然后同時剝離出柵介質層和半導體溝道層；

3）生長一層導電薄膜，光刻刻蝕形成源電極和漏電極；

4）生長一層鈍化介質層，光刻和刻蝕形成柵電極、源電極和漏電極的引出孔；

5）生長一層金屬薄膜，光刻和刻蝕形成金屬電極和互連。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟1）中，形成所述柵電極所生長的導電薄膜采用氧化銦錫ITO或氧化鋅鋁AZO等的透明的導電材料。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟2）中，形成所述柵介質層所生長的絕緣材料采用二氧化硅或者氮化硅等的絕緣材料。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟2）中，利用濺射工藝生長一層摻鋁的氧化鋅半導體材料形成所述溝道層，并且在濺射過程中加入3%~20%（氣體流量）適量的氧氣。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟2）中，濺射使用的靶材為摻鋁的氧化鋅陶瓷靶，其中鋁的含量為1%~10%（質量）。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟3）中，形成所述源電極和漏電極所生長的導電薄膜采用氧化銦錫ITO或氧化鋅鋁AZO等的透明的導電材料。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟1）中，所述導電薄膜的厚度為10~100納米。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟2）中，所述絕緣材料的厚度為50～200納米。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟3）中，所述導電薄膜的厚度為20~300納米。