[發(fā)明專利]基于中遠場主波束幅相合成的相控陣局部陣面輻射場快速推演方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210213520.1
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN102735949A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝大剛;吳楠;王春;溫定娥;張煒;黃明亮
• 申請（專利權(quán)）人: 中國艦船研究設(shè)計中心
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08;G01R29/10
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平;周艷紅

1.一種基于中遠場主波束幅相合成的相控陣局部陣面輻射場快速推演方法，其特征在于，它包括如下步驟：

1）架設(shè)相控陣局部陣面和測試天線，使二者主波束對準且極化匹配，測試天線位于相控陣局部陣面的主波束輻射場內(nèi)、且與相控陣局部陣面中心的距離為R，測試天線的射頻輸出端接入頻譜分析儀；

2）相控陣局部陣面以頻率f定波束發(fā)射，通過測試天線測得距離相控陣局部陣面中心R處場點的場強為E_p(f)；

3）由式E_A(f)＝NE_p(f)推演得到相控陣全陣在R處產(chǎn)生的場強E_A(f)，式中，N為相控陣全陣面與相控陣局部陣面的陣元個數(shù)之比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于中遠場主波束幅相合成的相控陣局部陣面輻射場快速推演方法，其特征在于，所述步驟1）中，架設(shè)相控陣局部陣面和測試天線的過程為：架設(shè)相控陣局部陣面，粗略估算測試天線的高度和口徑指向，使二者主波束方向一致、極化方式相同；測試天線的射頻輸出端接入頻譜分析儀；局部陣面以任意頻率定波束發(fā)射，微調(diào)測試天線的高度、方位角和俯仰角，使頻譜分析儀的測試值最大，表明相控陣局部陣面和測試天線的主波束對準且極化匹配。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于中遠場主波束幅相合成的相控陣局部陣面輻射場快速推演方法，其特征在于：所述測試天線與相控陣局部陣面中心的距離R滿足式中，D為相控陣天線的最大尺寸，λ為相控陣局部陣面所發(fā)射電磁波的波長。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于中遠場主波束幅相合成的相控陣局部陣面輻射場快速推演方法，其特征在于：所述相控陣全陣面與相控陣局部陣面的陣元個數(shù)之比N≤100。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于中遠場主波束幅相合成的相控陣局部陣面輻射場快速推演方法，其特征在于：所述相控陣全陣面與相控陣局部陣面的陣元個數(shù)之比N≤100。