[發明專利]提高圖像傳感器滿阱容量與量子效率光電二極管及方法

有效

• 申請號: 201210213315.5
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN102709304A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 徐江濤;孫羽;高靜;史再峰;姚素英
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 劉國威

1.一種提高圖像傳感器滿阱容量與量子效率光電二極管，結構為：在P型外延層內注入一個深度較淺的N埋層，N埋層上面是高濃度摻雜P+鉗位層，其特征是，在靠近表面的N埋層下面還設置有第二個N埋層，第二個N埋層內自其與P型外延層交界面處，形成有縱向的P插入層結構。

2.一種提高圖像傳感器滿阱容量與量子效率光電二極管形成方法，其特征是，在P型外延層上先注入較高濃度的磷形成N埋層，其注入能量范圍為50千電子伏～100千電子伏，摻雜濃度范圍為7e11～1.5e12/cm³；再進行磷注入形成光電二極管的第二個N埋層，其注入深度更深且位于N埋層正下方，其注入能量范圍為150千電子伏～300千電子伏，摻雜濃度范圍為1e11～9e11/cm³；在形成雙N埋層結構后，第二個N埋層內自其與P型外延層交界面處注入P型摻雜的二氟化硼形成P插入層。

3.如權利要求2所述的提高圖像傳感器滿阱容量與量子效率光電二極管形成方法，其特征是，第二個N埋層內自其與P型外延層交界面處注入P型摻雜的二氟化硼形成P插入層，P型摻雜的離子注入分為兩步，第一步使用二氟化硼注入形成第二個N埋層內上部P1區域，注入能量范圍為1,500千電子伏～2000千電子伏，摻雜濃度范圍為1e12～2e12/cm³；第二步使用二氟化硼注入形成P1區域下方毗鄰的P2區域，注入能量范圍為2500千電子伏～3500千電子伏，摻雜濃度范圍同為1e12～2e12/cm³，最終形成雙N埋層P插入層的內嵌光電二極管結構。