[發明專利]探針結構與薄膜式探針的制造方法

無效

• 申請號: 201210212946.5
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN102692530A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 陳明坤;鄭明祥;林義隆
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: G01R1/067
• 分類號: G01R1/067;G01R1/073
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

技術領域

本發明有關于探針結構與薄膜式探針的制造方法，特別有關于具有薄膜式探針的探針結構。

背景技術

半導體集成電路芯片的趨勢往微形化發展，其中組件的單位密度也愈來愈高，因此，半導體集成電路芯片的信號輸入/輸出端例如凸塊、焊墊的尺寸與間距將愈來愈小，因應芯片微小化趨勢，用以測試芯片的微探針需求也將更高。

半導體集成電路芯片在出貨前需要經過電性測試機來確認電路特性。為了因應接觸端微小的尺寸與間距，并提高對組件數組測試的效率，電性測試機必須使用細微的探針數組作為與待測組件電性接觸的媒介，并搭配空間轉換器來將探針數組電性連接至接觸端的尺寸、間距更大的電路板。

然而，一般空間轉換器受限材料、工藝的影響很難制作出接觸端間距符合目前待測組件或探針數組規格。因此，克服目前問題的技術是必要的。

發明內容

本發明有關于探針結構與薄膜式探針的制造方法。薄膜式探針的制造方法簡單、成本低，且薄膜式探針適用于測試微型化半導體結構。

根據本發明的一實施例，提供一種探針結構。探針結構包括一薄膜式探針。薄膜式探針包括一絕緣薄膜與多數個導電條。絕緣薄膜具有相對的一第一薄膜表面與一第二薄膜表面，并具有相對的一第一薄膜側邊與一第二薄膜側邊。絕緣薄膜由可撓材料所構成。導電條設置在絕緣薄膜的第一薄膜表面上。導電條各具有相對的一第一導電末端與一第二導電末端。導電條的第一導電末端延伸超過絕緣薄膜的第一薄膜側邊。互相分開的導電條呈扇狀配置，使得導電條的第一導電末端的間距小于第二導電末端的間距。

根據本發明的另一實施例，提供一種薄膜式探針的制造方法。制造方法包括以下步驟。于一絕緣材料層上形成一導電層。圖案化導電層以形成多數個導電條。導電條各具有相對的一第一導電末端與一第二導電末端。互相分開的導電條呈扇狀配置，使得導電條的第一導電末端的間距小于第二導電末端的間距。移除部分絕緣材料層以形成一絕緣薄膜。絕緣薄膜具有相對的一第一薄膜側邊與一第二薄膜側邊。導電條的各第一導電末端延伸超過絕緣薄膜的第一薄膜側邊。

下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示根據一實施例的薄膜式探針的上視圖。

圖2繪示根據一實施例的探針結構的立體示意圖。

圖3繪示根據一實施例的探針結構的剖面圖。

圖4繪示根據一實施例的探針結構的導電條。

圖5至圖9繪示根據一實施例的薄膜式探針的制造方法。

圖10繪示根據一實施例的探針卡的剖面圖。

圖11繪示根據一實施例的探針卡的剖面圖。

圖12至圖17繪示根據一實施例的半導體結構的制造過程。

【主要組件符號說明】

102、202、302：薄膜式探針

104、204、304：絕緣薄膜

106、206、306、406：導電條

108、308：第一薄膜側邊

110、310：第二薄膜側邊

112、212：第一薄膜表面

114、214：第二薄膜表面

116、216、316、416、516：第一導電末端

118、218、318、418：第二導電末端

120：導電凸塊

122：下表面

124：上表面

126、128、130、132、134、136、226、228、230、232、234、236、326、328、330、332、334、336、668：穿孔

238、438、538：探針結構

240：定位件

342：絕緣材料層

344：支撐基板

346：導電層

448、560：探針卡

450：導板

452：空間轉換器

454、554：電路板

456、458、556、558：固定件

562：彈性膜

564：壓板

666：基材

670：絕緣層

672：導電層

674、682：導電重布層

676、684：凸塊

678、686：介電層

680：載板

688：薄膜架

D1、D2、D3：間距

T1、T2：厚度

W1、W2：寬度