[發明專利]光器件以及光調制裝置

有效

• 申請號: 201210212928.7
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102841478A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 原英生;增田伸;關淳
• 申請（專利權）人: 愛德萬測試株式會社
• 主分類號: G02F1/313
• 分類號: G02F1/313
• 代理公司: 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅

1.一種光器件，其特征在于具有：

基板；

電介質膜，形成在前述基板上，且具有并行的第一光導波路以及第二光導波路；

絕緣膜，形成在前述電介質膜上；

共面線路，具有形成在前述絕緣膜上且配置在前述第一光導波路以及前述第二光導波路之間的信號線，配置在對著前述第一光導波路的前述第二光導波路的相反側的第一區域中的第一接地線以及配置在對著前述第二光導波路的前述第一光導波路的相反側的第二區域的第二接地線；以及

輔助電極，在前述第一區域以及前述第二區域中與前述電介質膜相接或者設置在前述絕緣膜的內部，且施加對于前述第一光導波路以及前述第二光導波路的偏置電壓。

2.根據權利要求1所述的光器件，其特征在于：

前述輔助電極比前述第一接地線以及前述第二接地線更接近前述第一光導波路以及前述第二光導波路而設置。

3.根據權利要求1所述的光器件，其特征在于：

前述電介質膜還具有：

第一光耦合器，將入射光進行分路而向前述第一光導波路以及前述第二光導波路進行引導；以及

第二光耦合器，將來自前述第一光導波路以及前述第二光導波路的光進行合波；

其中，前述第一光導波路、前述第二光導波路、前述第一光耦合器以及前述第二光耦合器形成馬赫-曾德爾型光導波路。

4.根據權利要求1所述的光器件，其特征在于：

設置在前述第一區域中的前述輔助電極是被施加正極的偏壓的電極；

設置在前述第二區域中的前述輔助電極是被施加負極的偏壓的電極。

5.根據權利要求1所述的光器件，其特征在于：

前述基板由單晶材料形成。

6.根據權利要求5所述的光器件，其特征在于：

前述基板是藍寶石基板或者MgO基板。

7.根據權利要求1所述的光器件，其特征在于：

前述電介質膜是強電介質薄膜。

8.根據權利要求7所述的光器件，其特征在于：

前述強電介質薄膜是作為鈣鈦礦結晶結構的PZT薄膜、PLZT薄膜或者BaTiO₃薄膜。

9.根據權利要求1所述的光器件，其特征在于：

前述絕緣膜包含SiO₂或者SiN_x。

10.根據權利要求1所述的光器件，其特征在于：

設置在前述第一區域中的前述輔助電極與前述第一接地線進行連接；

設置在前述第二區域中的前述輔助電極與前述第二接地線進行連接；

前述第一接地線以及前述第二接地線經由電容器連接在預先確定的基準電壓上。

11.根據權利要求1所述的光器件，其特征在于：

還具有接地電極，在前述第一光導波路以及前述第二光導波路之間與前述電介質膜相接或者設置在前述電介質膜與前述絕緣膜之間，連接在預先確定的基準電壓上。

12.根據權利要求11所述的光器件，其特征在于：

前述共面線路的前述信號線與前述接地電極進行連接，

前述共面線路還具有：

第一差動信號線，在前述絕緣膜上的前述第一區域中形成在前述信號線與前述第一接地線之間；以及

第二差動信號線，在前述絕緣膜上的前述第二區域中形成在前述信號線與前述第二接地線之間。

13.一種光調制裝置，其特征在于具有：

根據權利要求1～12中的任一項所述的光器件；以及

頻率信號源，向前述信號線提供預先確定頻率的頻率信號。