[發(fā)明專利]基板及具有其的顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210212923.4
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN103513471B
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許力介;陳建宏
• 申請（專利權(quán)）人: 群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/133
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種顯示裝置，包括：

一第一基材；

一第二基材，與該第一基材相對而設(shè)；

一液晶層，設(shè)置于該第一基材與該第二基材之間；

一電極結(jié)構(gòu)，設(shè)于該第一基材及該第二基材至少其中一者上；以及

一微線材結(jié)構(gòu)，設(shè)立于該第一基材、該第二基材及該電極結(jié)構(gòu)至少其中一 者上，該第一基材是包括一電極區(qū)及一非電極區(qū)，該電極結(jié)構(gòu)是設(shè)置于該電極 區(qū)，其中該微線材結(jié)構(gòu)是設(shè)置于該非電極區(qū)與該電極區(qū)之間或該非電極區(qū)上。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該電極結(jié)構(gòu)包括：

一第一電極，設(shè)于該第一基材上；

一絕緣層，設(shè)于該第一電極上；以及

一第二電極，設(shè)于該絕緣層上，且該微線材結(jié)構(gòu)是設(shè)置于該絕緣層上。

3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該電極結(jié)構(gòu)包括：

一像素電極，設(shè)于該第一基材及該第二基材至少其中一者上；以及

一共電極，與該像素電極間隔且交錯地設(shè)置，其中該微線材結(jié)構(gòu)是設(shè)置于 該像素電極及該共電極之間。

4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該電極結(jié)構(gòu)包括一T型、 一梯形、一半圓形、一矩形或一多層復(fù)合型的結(jié)構(gòu)，且該微線材結(jié)構(gòu)包括一金 屬氧化物或一納米碳材，該納米碳材是選擇自納米碳簇、納米實(shí)心碳材以及納 米石墨材料所組成的群組。

5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，該微線材結(jié)構(gòu)是選擇自氧 化鐵、二氧化鈦、氧化銅及銦錫氧化物所組成的群組。

6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該微線材結(jié)構(gòu)的直徑是 10nm至1μm，該微線材結(jié)構(gòu)的長度是100nm至10μm。

7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該微線材結(jié)構(gòu)是多條微線 材，所述微線材是排列設(shè)置，相鄰兩列的所述微線材結(jié)構(gòu)具有一第一間距，同 一列的所述微線材之間具有一第二間距，該第一間距是0.01μm至20μm，該 第二間距是0.01μm至20μm，且所述微線材的密度是于每100微米平方有10^-2至10⁶根微線材。

8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該微線材結(jié)構(gòu)是絨毛狀、 叉狀、針狀或柱狀，其中該柱狀的微線材結(jié)構(gòu)包括一碳柱體及多條纖維狀分支 設(shè)置于該碳柱體上。

9.一種基板，用于一液晶顯示裝置，該基板包括：

一基材；

一電極結(jié)構(gòu)，設(shè)于該基材上，且鄰接于該液晶顯示裝置的一液晶層；以及

一微線材結(jié)構(gòu)，設(shè)立于該基材及該電極結(jié)構(gòu)至少其中一者之上，其中該電 極結(jié)構(gòu)包括一T型、一梯形、一半圓形、一矩形或一多層復(fù)合型的結(jié)構(gòu)，該微 線材結(jié)構(gòu)是絨毛狀、叉狀、針狀或柱狀，該柱狀的微線材結(jié)構(gòu)包括一碳柱體及 多條纖維狀分支設(shè)置于該碳柱體上。

10.如權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于，該微線材結(jié)構(gòu)是設(shè)置于該電 極結(jié)構(gòu)的邊緣或該電極結(jié)構(gòu)對稱軸上，且該微線材結(jié)構(gòu)與該電極結(jié)構(gòu)的邊緣的 距離是10nm至10μm。

11.如權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于，該電極結(jié)構(gòu)包括：

一第一電極，設(shè)于該基板上；

一絕緣層，設(shè)于該第一電極上；以及

一第二電極，設(shè)于該絕緣層上，且該微線材結(jié)構(gòu)是設(shè)置于該絕緣層或該電 極上。

12.如權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于，該電極結(jié)構(gòu)包括：

一像素電極，設(shè)于該基板上；以及

一共電極，與該像素電極間隔且交錯地設(shè)置，其中該微線材結(jié)構(gòu)是設(shè)置于 該像素電極及該共電極之間或設(shè)置于該像素電極及該共電極至少其中一者上。

13.如權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于，該微線材結(jié)構(gòu)包括一金屬氧 化物或一納米碳材，該納米碳材是選擇自納米碳簇、納米實(shí)心碳材以及納米石 墨材料所組成的群組。