[發(fā)明專利]晶體管裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210212660.7
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN103515414B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 許茗舜;許文朋;林克峰;蔡明軒;王智充
• 申請（專利權）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種晶體管裝置，包括：

基底；

第一阱（well），設置于該基底之中；

第二阱，設置于該基底之中；

淺溝槽隔離結構(shallow?trench?isolation，STI)，設置于該第二阱內，該淺溝槽隔離結構具有至少一懸浮島狀有源區(qū)（floating?diffusion?island）；

源極，設置于該第一阱內；

漏極，設置于該第二阱內，該懸浮島狀有源區(qū)的導電類型與該漏極的導電類型相反或相同；以及

柵極，設置于該第一阱及該第二阱之上并與部分的該第一阱及該第二阱交疊。

2.如權利要求1所述的晶體管裝置，其中該柵極與該懸浮島狀有源區(qū)部分重疊。

3.如權利要求1所述的晶體管裝置，其中該懸浮島狀有源區(qū)的深度小于該淺溝槽隔離結構的厚度。

4.如權利要求1所述的晶體管裝置，其中該淺溝槽隔離結構的寬度為該懸浮島狀有源區(qū)的寬度的三倍。

5.如權利要求1所述的晶體管裝置，其中該懸浮島狀有源區(qū)實質上位于該淺溝槽隔離結構的中央處。

6.如權利要求1所述的晶體管裝置，其中該至少一懸浮島狀有源區(qū)的數(shù)量大于或等于二，該些懸浮島狀有源區(qū)相互隔絕。

7.如權利要求6所述的晶體管裝置，其中鄰近的該些懸浮島狀有源區(qū)的間距大于或等于0.3微米（micrometer，um）。

8.如權利要求1所述的晶體管裝置，還包括：

深阱，設置于該基底上，該第二阱及該第一阱設置于該深阱內，該懸浮島狀有源區(qū)的濃度與該深阱的濃度具有相同數(shù)量級。

9.一種晶體管裝置的制造方法，包括：

提供一基底；

形成一第一阱（well）于該基底之中；

形成一第二阱于該基底之中；

形成一淺溝槽隔離結構(shallow?trench?isolation，STI)于該第二阱內，該淺溝槽隔離結構具有至少一懸浮島狀有源區(qū)（floating?diffusion?island）；

形成一源極于該第一阱內；

形成一漏極于該第二阱內，該懸浮島狀有源區(qū)與該漏極的導電類型相反或相同；以及

形成一柵極于該第一阱及該第二阱之上，該柵極與部分的該第一阱及該第二阱交疊。

10.如權利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該柵極中，該柵極與該懸浮島狀有源區(qū)部分重疊。

11.如權利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結構的步驟中，該懸浮島狀有源區(qū)的深度小于該淺溝槽隔離結構的厚度。

12.如權利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結構的步驟，該淺溝槽隔離結構的寬度為該懸浮島狀有源區(qū)的寬度的三倍。

13.如權利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結構的步驟，該懸浮島狀有源區(qū)實質上位于該淺溝槽隔離結構的中央處。

14.如權利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結構的步驟中，該至少一懸浮島狀有源區(qū)的數(shù)量大于或等于二。

15.如權利要求14所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結構的步驟中，鄰近的該些懸浮島狀有源區(qū)的間距大于或等于0.3微米（micrometer，um）。

16.如權利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該第二阱的步驟及形成該第一阱的步驟之前，該制造方法還包括：

形成一深阱于該基底上，該第二阱及該第一阱設置于該深阱內，該懸浮島狀有源區(qū)的濃度與該深阱的濃度具有相同數(shù)量級。