[發(fā)明專利]晶體管裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210212660.7
• 申請(qǐng)日: 2012-06-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103515414B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許茗舜;許文朋;林克峰;蔡明軒;王智充
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種晶體管裝置，包括：

基底；

第一阱（well），設(shè)置于該基底之中；

第二阱，設(shè)置于該基底之中；

淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(shallow?trench?isolation，STI)，設(shè)置于該第二阱內(nèi)，該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)具有至少一懸浮島狀有源區(qū)（floating?diffusion?island）；

源極，設(shè)置于該第一阱內(nèi)；

漏極，設(shè)置于該第二阱內(nèi)，該懸浮島狀有源區(qū)的導(dǎo)電類型與該漏極的導(dǎo)電類型相反或相同；以及

柵極，設(shè)置于該第一阱及該第二阱之上并與部分的該第一阱及該第二阱交疊。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中該柵極與該懸浮島狀有源區(qū)部分重疊。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中該懸浮島狀有源區(qū)的深度小于該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的寬度為該懸浮島狀有源區(qū)的寬度的三倍。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中該懸浮島狀有源區(qū)實(shí)質(zhì)上位于該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的中央處。

6.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中該至少一懸浮島狀有源區(qū)的數(shù)量大于或等于二，該些懸浮島狀有源區(qū)相互隔絕。

7.如權(quán)利要求6所述的晶體管裝置，其中鄰近的該些懸浮島狀有源區(qū)的間距大于或等于0.3微米（micrometer，um）。

8.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，還包括：

深阱，設(shè)置于該基底上，該第二阱及該第一阱設(shè)置于該深阱內(nèi)，該懸浮島狀有源區(qū)的濃度與該深阱的濃度具有相同數(shù)量級(jí)。

9.一種晶體管裝置的制造方法，包括：

提供一基底；

形成一第一阱（well）于該基底之中；

形成一第二阱于該基底之中；

形成一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(shallow?trench?isolation，STI)于該第二阱內(nèi)，該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)具有至少一懸浮島狀有源區(qū)（floating?diffusion?island）；

形成一源極于該第一阱內(nèi)；

形成一漏極于該第二阱內(nèi)，該懸浮島狀有源區(qū)與該漏極的導(dǎo)電類型相反或相同；以及

形成一柵極于該第一阱及該第二阱之上，該柵極與部分的該第一阱及該第二阱交疊。

10.如權(quán)利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該柵極中，該柵極與該懸浮島狀有源區(qū)部分重疊。

11.如權(quán)利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟中，該懸浮島狀有源區(qū)的深度小于該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的厚度。

12.如權(quán)利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟，該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的寬度為該懸浮島狀有源區(qū)的寬度的三倍。

13.如權(quán)利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟，該懸浮島狀有源區(qū)實(shí)質(zhì)上位于該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的中央處。

14.如權(quán)利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟中，該至少一懸浮島狀有源區(qū)的數(shù)量大于或等于二。

15.如權(quán)利要求14所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟中，鄰近的該些懸浮島狀有源區(qū)的間距大于或等于0.3微米（micrometer，um）。

16.如權(quán)利要求9所述的晶體管裝置的制造方法，其中在形成該第二阱的步驟及形成該第一阱的步驟之前，該制造方法還包括：

形成一深阱于該基底上，該第二阱及該第一阱設(shè)置于該深阱內(nèi)，該懸浮島狀有源區(qū)的濃度與該深阱的濃度具有相同數(shù)量級(jí)。