[發明專利]光學器件以及光學器件的制造方法

無效

• 申請號: 201210212088.4
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102841481A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 井出昌史;小味山剛男;野崎孝明
• 申請（專利權）人: 西鐵城控股株式會社
• 主分類號: G02F1/365
• 分類號: G02F1/365
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 高科

1.一種光學器件，其特征在于，包括：

第1光學元件；

第2光學元件，與所述第1光學元件光學結合；以及

第1硅基板，搭載了所述第1光學元件以及所述第2光學元件，

其中，

所述第2光學元件包括第2硅基板以及與所述第2硅基板貼合的波導基板，

所述第2光學元件以所述波導基板面對所述第1硅基板的狀態搭載于所述第1硅基板上。

2.根據權利要求1所述的光學器件，其特征在于，

所述波導基板的厚度為所述第2硅基板的厚度的1/6～1/400的范圍。

3.根據權利要求1所述的光學器件，其特征在于，

還包括設置于所述第1硅基板上的由金屬材料構成的接合部，

其中，所述第2光學元件通過表面活性化接合技術而接合到所述接合部。

4.根據權利要求3所述的光學器件，其特征在于，

所述接合部具有微凸起構造。

5.根據權利要求3所述的光學器件，其特征在于，

所述金屬材料是Au。

6.根據權利要求1所述的光學器件，其特征在于，

所述第1光學元件為激光學元件，所述第2光學元件為波長變換元件。

7.一種光學器件的制造方法，該光學器件在第1硅基板上搭載有第1光學元件、與所述第1光學元件光學結合的第2光學元件，該光學器件的制造方法的特征在于，

通過貼合第2硅基板和波導基板而形成所述第2光學元件；

將所述第1光學元件搭載到所述第1硅基板；

以所述波導基板面對所述第1硅基板的狀態將所述第2光學元件搭載到所述第1硅基板。

8.根據權利要求7所述的光學器件的制造方法，其特征在于，

所述波導基板的厚度為所述第2硅基板的厚度的1/6～1/400的范圍。

9.根據權利要求7所述的光學器件的制造方法，其特征在于，

還包括在所述第1硅基板上形成由金屬材料構成的接合部，

其中，在搭載所述第2光學元件時，通過表面活性化接合技術而將所述第2光學元件接合到所述接合部。

10.根據權利要求9所述的光學器件的制造方法，其特征在于，

所述接合部為微凸起構造。

11.根據權利要求10所述的光學器件的制造方法，其特征在于，

所述金屬材料是Au。

12.根據權利要求7所述的光學器件的制造方法，其特征在于，

所述第1光學元件為激光學元件，所述第2光學元件為波長變換元件。