[發(fā)明專利]多色移裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210211931.7 | 申請(qǐng)日： | 2012-06-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102837528B | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 保羅·T.·科爾曼;阿爾博特·阿革帝亞;科尼利斯·簡(jiǎn)·德?tīng)査固?/a> | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | VIAVI科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B42D25/29 | 分類號(hào)： | B42D25/29;B42D25/00;G02B5/28;G03H1/02 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人： | 鄭小粵 |
| 地址： | 美國(guó)加利福尼亞州*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多色 裝置 | ||
1.一種色移防偽裝置，包括：
具有微結(jié)構(gòu)化的表面的第一吸收層；
第一反射層；其中所述第一吸收層和所述第一反射層是適形沉積層；
支撐所述第一吸收層的基底，其中所述基底具有微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于所述第一吸收層的微結(jié)構(gòu)化的上表面；和
第一非適形聚合物電介質(zhì)層，所述第一非適形聚合物電介質(zhì)層被設(shè)置在所述第一吸收層和所述第一反射層之間，具有與所述微結(jié)構(gòu)化的表面接觸和互補(bǔ)的表面，并且其中所述第一非適形聚合物電介質(zhì)層的橫截面具有變化的厚度，使得所述第一非適形聚合物電介質(zhì)層的至少一個(gè)區(qū)域比所述第一非適形聚合物電介質(zhì)層的較薄的相鄰區(qū)域更厚，并且其中在光入射到所述色移防偽裝置上時(shí)，從相同位置穿過(guò)該區(qū)域和該區(qū)域的相鄰區(qū)域同時(shí)觀察所述色移防偽裝置，能看見(jiàn)可見(jiàn)的色差；
其中所述裝置還包括與所述第一反射層接觸的第二非適形聚合物電介質(zhì)層，在所述第二非適形聚合物電介質(zhì)層之上具有第二吸收層，從而形成兩側(cè)色移裝置，其中所述第一非適形聚合物電介質(zhì)層和所述第二非適形聚合物電介質(zhì)層都具有變化的橫截面厚度；和
其中所述第一吸收層，所述第一反射層，所述第一非適形聚合物電介質(zhì)層，所述第二非適形聚合物電介質(zhì)層，以及所述第二吸收層，一起形成法布里－珀羅腔，并且其中所述第一非適形聚合物電介質(zhì)層由沉積的非適形材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色移防偽裝置，其中在所述法布里－珀羅腔從基底移除后，所述法布里－珀羅腔形成薄片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色移防偽裝置，其中所述第一吸收層，或者所述第一反射層，具有基本均勻的厚度，其中厚度的變化不超過(guò)20％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色移防偽裝置，其中所述第一非適形聚合物電介質(zhì)層的橫截面的厚度差遠(yuǎn)大于相鄰兩層的厚度之和。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的色移防偽裝置，其中對(duì)應(yīng)于特定微結(jié)構(gòu)的所述色移防偽裝置的區(qū)域形成通過(guò)放大能夠被看見(jiàn)的可見(jiàn)標(biāo)記，并且其中一些所述微結(jié)構(gòu)的高度或深度至少為50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的色移防偽裝置，其中至少一些所述微結(jié)構(gòu)形成谷，其在橫截面中形成底部平坦的谷。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的色移防偽裝置，其中所述微結(jié)構(gòu)在橫截面中的峰是頂部平坦的結(jié)構(gòu)。
8.一種色移防偽裝置，包括法布里－珀羅濾光器，所述法布里－珀羅濾光器包括：第一吸收層，第一非適形電介質(zhì)層，反射層，第二非適形電介質(zhì)層和第二吸收層，其中所述第一非適形電介質(zhì)層被沉積在所述第一吸收層之上，所述反射層被沉積在所述第一非適形電介質(zhì)層之上，所述第二非適形電介質(zhì)層被沉積在所述反射層之上，所述第二吸收層被沉積在所述第二非適形電介質(zhì)層之上；其中，所述第一吸收層具有微結(jié)構(gòu)化的上表面，所述第一非適形電介質(zhì)層的下表面與所述第一吸收層的所述微結(jié)構(gòu)化的上表面相適形，并且所述第一非適形電介質(zhì)層的上表面與所述第一吸收層的所述微結(jié)構(gòu)的上表面不相適形，其中所述非適形電介質(zhì)層的橫截面具有變化的厚度，使得所述非適形電介質(zhì)層的至少一個(gè)區(qū)域基本上比該區(qū)域的相鄰區(qū)域更厚，并且其中所述第一非適形電介質(zhì)層和所述第二非適形電介質(zhì)層的橫截面都具有變化的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的色移防偽裝置，還包括基底和沉積在所述基底之上的釋放層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的色移防偽裝置，其中沿著割裂線分割時(shí)，形成成形的薄片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的色移防偽裝置，其中從任一側(cè)觀察時(shí)薄片產(chǎn)生色移。
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