[發明專利]一種基于真空鍍膜的圓感應同步器屏蔽層結構的制備方法

有效

• 申請號: 201210211579.7
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN102776475A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 陸強;楊旭東;章衛祖;鄧容
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/14;B05D7/14;B05D3/02;B05D3/12;G01B7/30
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種基于真空鍍膜的圓感應同步器屏蔽層結構的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）涂第一層環氧樹脂膠，用酒精和乙醚混合液清洗轉子表面，在繞組銅皮上涂環氧樹脂膠，然后將涂好環氧樹脂膠的轉子放置在真空箱；膠層涂覆位置應為：繞組銅皮的內圈到外圈，保護圓感應同步器轉子的徑向金屬安裝面、外圓柱面及內孔安裝面；

2）環氧樹脂膠固化，在室溫下使膠層固化，時間≥48小時；

3）磨環氧樹脂膠層，等膠干之后，在磨床上將環氧膠層磨平，磨削膠層厚度控制在0.02～0.04mm；

4）涂第二層環氧樹脂膠，在磨平的環氧樹脂膠層上澆稀釋的環氧樹脂膠，用臺式勻膠機將膠層甩平，然后放置于真空箱半小時；第二層的環氧膠厚度控制在0.02～0.04mm；膠層涂覆位置應為：繞組銅皮的內圈到外圈，保護圓感應同步器轉子的徑向金屬安裝面、外圓柱面及內孔安裝面；兩層環氧樹脂膠總厚度控制在0.08mm以內；

5）環氧膠固化，膠層固化時間≥48小時；

6）鍍氧化硅，等環氧膠干之后，在膠層上面鍍氧化硅，厚度控制為0.001～0.003mm；膜層位置應為：繞組銅皮的內圈到外圈，保護圓感應同步器轉子的徑向金屬安裝面、外圓柱面及內孔安裝面；

7）鍍導電層鋁膜，在氧化硅上面再鍍一層鋁，厚度控制為0.001～0.003mm；膜層位置應為：覆蓋轉子繞組的整個平面，且保護外圓柱面及內孔安裝面；

8）鍍保護層氧化硅，在鋁層上鍍氧化硅，厚度控制為0.001~0.003mm。