[發明專利]平板型高場非對稱波形離子遷移譜儀的聚焦裝置及方法

有效

• 申請號: 201210211272.7
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102723254A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 唐飛;徐初隆;王曉浩
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01J49/06
• 分類號: H01J49/06;H01J49/40
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 邸更巖

1.一種平板型高場非對稱波形離子遷移譜儀的聚焦裝置，所述的平板型高場非對稱波形離子遷移譜儀包括離子源（2）、遷移區（3）和檢測單元（8）；在遷移區（3）內平行放置上基片（4）和下基片（5），在上基片（4）和下基片（5）上分別設置上遷移區電極（6）和下遷移區電極（7），上遷移區電極（6）分別與非對稱波形射頻電源（10）和直流掃描補償電源（9）相連，其特征在于：在遷移區（3）前端設置至少一個聚焦區（11），在每個聚焦區（11）的上基片（4）和下基片（5）上設置至少一副聚焦極板對，并上下正對。

2.采用如權利要求1所述聚焦裝置的一種平板型高場非對稱波形離子遷移譜儀聚焦方法，其特征在于：在每副聚焦極板對上施加電壓，使離子在進入遷移區之前向中心聚集，施加的電壓有兩種模式：

a.直流聚焦模式：直流聚焦模式為在聚焦極板對上間隔施加相同的直流電壓，與施加直流電壓的聚焦極板對相鄰的聚焦極板對不施加電壓；施加的直流電壓根據離子極性選擇極性，若為正離子施加正電壓，若為負離子施加負電壓；

b.射頻聚焦模式：射頻聚焦模式為在每副聚焦極板對上施加正弦波射頻電壓，相鄰聚焦極板對射頻電壓相位相差180°。