[發明專利]化合物半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210211258.7
• 申請日: 2009-10-21
• 公開（公告）號: CN102723362A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 今田忠纮;山田敦史
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/34;H01L29/78
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;張志杰

1.一種化合物半導體器件，包括：

電子渡越層；

化合物半導體層，形成在所述電子渡越層上；

源電極以及漏電極，形成在所述化合物半導體層上；

第一絕緣膜，形成在所述化合物半導體層上；以及

柵電極，形成在所述絕緣膜上；

其中，在所述化合物半導體層的所述源電極與所述漏電極之間的區域內并在所述第一絕緣膜內、并且在與所述柵電極分離的部分處，形成有凹入部分；

第二絕緣膜，沿所述凹入部分的內表面形成；以及

電極，形成在所述第二絕緣膜上。

2.如權利要求1所述的化合物半導體器件，其中，在所述源電極與所述柵電極之間的區域內形成有所述凹入部分。

3.如權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中，形成在所述第二絕緣膜上的所述電極接地。

4.如權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中，形成在所述第二絕緣膜上的所述電極連接到所述源電極。

5.如權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中，與所述柵電極不同的電勢被提供到形成在所述第二絕緣膜上的所述電極。

6.如權利要求1或2所述的化合物半導體器件，還包括形成在所述電子渡越層與所述化合物半導體層之間的電子供應層。

7.如權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中，所述化合物半導體層的形成有所述凹入部分的部分的剩余厚度為10nm或更小。

8.一種化合物半導體器件，包括：

電子渡越層；

化合物半導體層，形成在所述電子渡越層上；

源電極，形成在所述化合物半導體層上；

第一絕緣膜，形成在所述化合物半導體層上；

柵電極，形成在所述絕緣膜上；以及

漏電極，形成在所述電子渡越層下；

其中，在所述化合物半導體層的所述源電極與所述柵電極之間的區域內并在所述第一絕緣膜內形成有凹入部分；

第二絕緣膜，沿所述凹入部分的內表面形成；以及

電極，形成在所述第二絕緣膜上。

9.如權利要求8所述的化合物半導體器件，其中，形成在所述第二絕緣膜上的所述電極接地。

10.如權利要求8所述的化合物半導體器件，其中，形成在所述第二絕緣膜上的所述電極連接到所述源電極。

11.如權利要求8所述的化合物半導體器件，其中，與所述柵電極不同的電勢被提供到形成在所述第二絕緣膜上的所述電極。

12.如權利要求8至11中任一項所述的化合物半導體器件，還包括形成在所述電子渡越層與所述化合物半導體層之間的電子供應層。

13.如權利要求8至11中任一項所述的化合物半導體器件，其中，所述化合物半導體層的形成有所述凹入部分的部分的剩余厚度為10nm或更小。

14.一種化合物半導體器件的制造方法，包括步驟：

在電子渡越層上形成化合物半導體層；

在所述化合物半導體層上形成源電極以及漏電極；

在所述化合物半導體層上形成第一絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成柵電極；

在所述化合物半導體層的所述源電極與所述漏電極之間的區域內并在所述第一絕緣膜內、并且在與所述柵電極分離的部分處，形成凹入部分；

沿所述凹入部分的內表面形成第二絕緣膜；以及

在所述第二絕緣膜上形成電極。

15.一種化合物半導體器件的制造方法，包括步驟：

在電子渡越層上形成化合物半導體層；

在所述化合物半導體層上形成源電極；

在所述化合物半導體層上形成第一絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成柵電極；

在所述電子渡越層下形成漏電極；

在所述化合物半導體層的所述源電極與所述柵電極之間的區域內并在所述第一絕緣膜內形成凹入部分；

沿所述凹入部分的內表面形成第二絕緣膜；以及

在所述第二絕緣膜上形成電極。