[發明專利]籽晶脫膠工藝有效
| 申請號： | 201210210841.6 | 申請日： | 2012-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN102723403A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發明（設計）人： | 馬瑩;劉春艷;張琪 | 申請（專利權）人： | 江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 221004 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 籽晶 脫膠 工藝 | ||
1.一種籽晶脫膠工藝，其特征在于，步驟如下：
沖洗切割后的籽晶；
然后將籽晶置于添加有表面活性劑的環境下進行超聲清洗；
再將籽晶放入加有中強酸的70~90℃的熱水中進行熱水脫膠。
2.根據權利要求1所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，所述沖洗采用如下方式：用自來水進行沖洗，沖洗水壓為0.2~0.25MPa，沖洗時間為20~40min。
3.根據權利要求1所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，所述籽晶的厚度為10~30mm。
4.根據權利要求1所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，所述超聲清洗采用如下方式：將籽晶放入添加有體積百分比為2%~3%的表面活性劑的超聲清洗槽中，超聲強度為28~40KHz，溫度為25~40℃，超聲時間為25~40min。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，所述表面活性劑為陰離子及非離子表面活性劑中的至少一種。
6.根據權利要求5中所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，所述表面活性劑為脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚及脂肪醇聚氧乙烯醚中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，所述中強酸按照體積百分比3%~5%的比例添加。
8.根據權利要求1或7所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，所述熱水脫膠過程中輔以超聲，超聲強度為28~40KHz，超聲時間為40~50min。
9.根據權利要求1或7所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，所述中強酸為檸檬酸及乳酸中的至少一種。
10.根據權利要求1所述的籽晶脫膠工藝，其特征在于，熱水脫膠完成后將籽晶取出，擦拭去除籽晶表面的殘余物。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
