[發(fā)明專利]用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210210727.3 | 申請日： | 2012-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN102842658A | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 中村亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田合成株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;王春偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 制造 iii 氮化物 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 方法 | ||
1.一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括其中阱層和勢壘層以重復(fù)方式交替堆疊的多量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)光層，其中每個(gè)所述阱層由含有In的第III族氮化物半導(dǎo)體形成，每個(gè)所述勢壘層由含有Al的第III族氮化物半導(dǎo)體形成并且具有比所述阱層的帶隙能大的帶隙能，所述方法包括：
將所述阱層和所述勢壘層形成為滿足以下關(guān)系：12.9≤-2.8x+100y≤37和0.65≤y≤0.86，在此，x表示所述勢壘層的Al組成比(摩爾％)，所述勢壘層的所述Al組成比定義為所述勢壘層的Al摩爾數(shù)與總的第III族原子的摩爾數(shù)之比，并且y表示所述勢壘層與所述阱層之間的帶隙能差(eV)。
2.一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括其中阱層和勢壘層以重復(fù)方式交替堆疊的多量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)光層，其中每個(gè)所述阱層由含有In的第III族氮化物半導(dǎo)體形成，每個(gè)所述勢壘層由含有Al的第III族氮化物半導(dǎo)體形成并且具有比所述阱層的帶隙能大的帶隙能，所述方法包括：
將所述阱層和所述勢壘層形成為滿足以下關(guān)系：162.9≤7.1x+10z≤216.1和3.1≤z≤9.2，在此，x表示所述勢壘層的Al組成比(摩爾％)，所述勢壘層的所述Al組成比定義為所述勢壘層的Al摩爾數(shù)與總的第III族原子的摩爾數(shù)之比，并且z表示所述阱層的In組成比(摩爾％)，所述阱層的所述In組成比定義為所述阱層的In摩爾數(shù)與總的第III族原子的摩爾數(shù)之比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述發(fā)光器件具有380nm至410nm的發(fā)射波長。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述發(fā)光器件具有380nm至410nm的發(fā)射波長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述阱層由Inz′Ga1-z′N形成并且所述勢壘層由Alx′Ga1-x′N形成，在此x′＝x/100。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述阱層由Inz′Ga1-z′N形成，在此z′＝z/100，并且所述勢壘層由Alx′Ga1-x′N形成，在此x′＝x/100。
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