[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210210600.1
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN103515233A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 朱慧瓏;梁擎擎;鐘匯才
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底上形成第一掩蔽層；

以第一掩蔽層為掩模，形成帶應力的源區和漏區之一；

在襯底上形成第二掩蔽層，并以第二掩蔽層為掩模形成源區和漏區中另一個；

去除第二掩蔽層的一部分，所述一部分靠近所述源區和漏區中另一個；

形成柵介質層，并在第二掩蔽層的剩余部分的側壁上以側墻的形式形成柵導體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成帶應力的源區和漏區之一包括：

以第一掩蔽層為掩模，選擇性刻蝕襯底；以及

在刻蝕后的襯底上形成與襯底成分不同的半導體材料，以形成所述源區和漏區之一。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在選擇性刻蝕襯底之前，該方法還包括：

以第一掩蔽層為掩模，進行延伸區注入；以及

進行退火，以激活注入的雜質。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

執行暈圈注入。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成第一掩蔽層的操作包括：

在襯底上形成第一子掩蔽層；以及

在第一子掩蔽層的側壁上形成第一側墻，

形成第二掩蔽層的操作包括：

在襯底上形成第二子掩蔽層，并去除第一子掩蔽層，

其中，第二子掩蔽層和第一側墻兩者形成所述第二掩蔽層，

以及

去除第二掩蔽層的一部分的操作包括：

去除第一側墻的至少一部分。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，形成第一側墻的操作包括：

在第一子掩蔽層的側壁上形成第一子側墻；以及

在第一子側墻的側壁上形成第二子側墻。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，形成第二掩蔽層的操作還包括：

在第一側墻的側壁上形成第二側墻，所述第一側墻夾于所述第二側墻和第二子掩蔽層之間；

其中第二子掩蔽層、第一側墻和第二側墻一起形成所述第二掩蔽層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，去除第二掩蔽層的一部分的操作包括：

去除第二側墻和第一子側墻。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，

第一子掩蔽層包括氮化物，

第二子掩蔽層包括氧化物，

第一子側墻包括多晶硅或非晶硅，

第二子側墻包括氮化物，

第二側墻包括氮化物。

10.根據權利要求1所述的方法，其中形成第二掩蔽層的操作包括：

在襯底上形成第二子掩蔽層，并去除第一掩蔽層的至少一部分；以及

在第二子掩蔽層或者在第一掩蔽層的剩余部分的側壁上形成第一側墻，

其中，第二子掩蔽層、可能的第一掩蔽層的剩余部分和第一側墻一起形成所述第二掩蔽層，以及

去除第二掩蔽層的一部分的操作包括：

去除第一側墻。

11.根據權利要求10所述的方法，其中形成第一掩蔽層的操作包括：

形成第一子掩蔽層；以及

在第一子掩蔽層的側壁上形成第一子側墻，

去除第一掩蔽層的至少一部分的操作包括：

去除第一子掩蔽層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，形成第一側墻的操作包括：

在第一子側墻的側壁上形成第二子側墻；以及

在第二子側墻的側壁上形成第三子側墻。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，

第一子掩蔽層包括氧化物，

第二子掩蔽層包括氮化物，

第一子側墻包括氮化物，

第二子側墻包括多晶硅或非晶硅，

第三子側墻包括氧化物。

14.根據權利要1所述的方法，其中，形成源區和漏區中另一個包括：

執行延伸區注入；和

執行源/漏注入。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，形成源區和漏區中另一個還包括：

執行暈圈注入。