[發(fā)明專(zhuān)利]具有穩(wěn)定部件的磁阻屏蔽有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210210509.X | 申請(qǐng)日： | 2012-05-04 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102779530A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | E·W·辛格爾頓;J·權(quán);李宰榮;S·E·麥肯雷 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G11B5/39 | 分類(lèi)號(hào)： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 張東梅 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 穩(wěn)定 部件 磁阻 屏蔽 | ||
1.一種設(shè)備包括與至少一個(gè)屏蔽相鄰的磁阻(MR)讀取器，該屏蔽從空氣軸承表面(ABS)延伸第一距離，該屏蔽具有接觸地相鄰于MR讀取器且從ABS延伸第二距離的穩(wěn)定部件，所述第二距離小于第一距離。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述穩(wěn)定部件具有與MR讀取器相匹配的分布區(qū)范圍。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽具有屏蔽層，所述屏蔽層具有第一分布區(qū)范圍，且穩(wěn)定部件具有第二分布區(qū)范圍，所述第二分布區(qū)范圍小于第一分布區(qū)范圍。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，穩(wěn)定部件中的鐵磁層具有預(yù)定的磁化。
5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，鐵磁層被磁性耦合到橫向偏置磁體來(lái)為MR讀取器提供默認(rèn)的磁化。
6.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，鐵磁層被反鐵磁層釘扎。
7.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，鐵磁層包括至少一個(gè)合成反鐵磁體(SAF)
8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，穩(wěn)定部件的縱橫比大于1。
9.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，穩(wěn)定部件具有第一深度并且MR讀取器具有第二深度，所述第一深度大于第二深度。
10.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，穩(wěn)定部件解耦MR讀取器與Pt材料。
11.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述穩(wěn)定部件具有接觸相鄰的緩沖層以及鐵磁層來(lái)防止鐵磁層的硬磁特性退化。
12.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，耦合層為單個(gè)連續(xù)的Pt層。
13.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽具有第一寬度，且穩(wěn)定部件具有第二寬度，所述第二寬度與MR讀寫(xiě)器和一對(duì)橫向設(shè)置的偏置磁體的寬度相匹配，所述第二寬度小于所述第一寬度。
14.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽和穩(wěn)定部件共同起后屏蔽的功能。
15.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括：
磁阻(MR)讀取器，所述磁阻(MR)讀取器配置在空氣軸承表面(ABS)上并且垂直于所述ABS延伸第一條紋高度距離；
頂屏蔽，所述頂屏蔽配置在ABS上并且垂直于所述ABS延伸第二條紋高度距離；以及
穩(wěn)定部件，所述穩(wěn)定部件位于ABS上并且耦合到MR讀取器和所述頂屏蔽，所述穩(wěn)定部件具有第三條紋高度，所述第三條紋高度大于第一條紋高度距離并且小于第二條紋高度距離。
16.如權(quán)利要求15所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述穩(wěn)定部件具有第一分布區(qū)范圍，所述MR讀取器具有第二分布區(qū)范圍，和所述頂屏蔽具有第三分布區(qū)范圍，第一分布區(qū)范圍大于第二分布區(qū)范圍且小于第三分布區(qū)范圍。
17.一種磁性元件，包括：
磁阻(MR)讀取器，所述磁阻(MR)讀取器設(shè)置在橫向偏置磁體之間；
穩(wěn)定部件，具有第一長(zhǎng)度、寬度和距空氣軸承表面(ABS)的距離，接觸地相鄰于MR讀取器和所述橫向偏置磁體，所述穩(wěn)定部件被設(shè)置為預(yù)定磁化來(lái)主動(dòng)地阻擋不希望的磁通量；以及
屏蔽層，具有第二長(zhǎng)度、寬度和距空氣軸承表面(ABS)的距離，配置用于被動(dòng)地阻擋不希望數(shù)量的磁通量，所述距ABS的第二距離大于第一距離。
18.如權(quán)利要求17所述的磁性元件，其特征在于，當(dāng)穩(wěn)定部件保持響應(yīng)于磁通量的預(yù)定磁化時(shí)，所述屏蔽層磁性地響應(yīng)于遇到的磁通量。
19.如權(quán)利要求18所述的磁性元件，其特征在于，穩(wěn)定部件包括耦合到合成反鐵磁體(SAF)的反鐵磁體，所述合稱(chēng)反鐵磁體(SAF)具有由非磁間隔層分隔開(kāi)的第一和第二鐵磁層。
20.如權(quán)利要求17所述的磁性元件，其特征在于，所述穩(wěn)定部件和屏蔽層每個(gè)具有沿著X和Z軸的連續(xù)厚度。
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