[發(fā)明專利]半導體存儲裝置及其分區(qū)編程控制電路和編程方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210210321.5 | 申請日: | 2012-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN103093817B | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 安龍福 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,郭放 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲 裝置 及其 分區(qū) 編程 控制電路 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求2011年11月4日向韓國知識產權局提交的申請?zhí)枮?0-2011-0114429的韓國專利申請的優(yōu)先權,其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
本發(fā)明涉及一種半導體系統(tǒng),更具體而言,涉及一種關于半導體存儲裝置及其分區(qū)編程控制電路與編程方法。
背景技術
PCRAM(相變RAM)是使用構成存儲器單元的特定物質的相變特性的存儲裝置。相變物質可以根據溫度條件而轉變成非晶態(tài)或晶態(tài),并且可以包括例如基于硫族化物的合金。代表性的相變物質包括包含鍺、銻和碲的Ge2Sb2Te5(此后稱作為“GST”)的物質。
大部分物質具有不同的熔點和結晶溫度,并且結晶程度可以根據冷卻時間和冷卻溫度變化。這可以用作物質的獨特特性。具體地,GST物質可以比其它的物質更清楚地區(qū)分出非晶態(tài)與晶態(tài)。
圖1是解釋一般相變物質根據溫度相變的曲線圖。將使用GST物質作為一個實例。
當GST被施加等于或大于GST熔點的高溫預定時間(數十至數百納秒[ns])并且被淬滅預設時間Tq時,則維持GST的非晶態(tài),并且電阻值變成數百千歐(kΩ)至數兆歐(MΩ)。
此外,如果GST維持在結晶溫度預選的時間(數百ns至數微秒[μs])然后冷卻,則GST轉變成晶態(tài)并且電阻值變成數kΩ至數十kΩ。隨著維持結晶溫度的時間延長,晶態(tài)改善并因此GST具有更小的電阻值。
圖2是解釋一般相變物質根據溫度相變的另一曲線圖。類似地,下面將會使用GST物質作為一個實例。
圖2示出通過施加接近GST熔點的溫度預定時間并緩慢冷卻GST來使GST結晶的一個實例。即使在這種情況下,GST的電阻值變成數kΩ至數十kΩ,并且隨著冷卻時間延長,晶態(tài)改善。此外,與圖1相比結晶時間縮短。
為了利用GST的這種特性,可以將熱直接施加到GST;或可以通過電流流經導體或半導體以電方式產生焦耳熱,使GST在非晶態(tài)與晶態(tài)之間轉換。
盡管圖1和圖2示出相變存儲裝置的一般操作,但因為設定的數據編程時間即GST所需的結晶時間短,所以主要使用圖2的方法。
圖3是現(xiàn)有的相變存儲裝置的單元陣列的配置圖。
參見圖3,每個存儲器單元MC由連接在字線WL與位線BL之間的相變物質GST和開關元件構成。
以下將參照圖4來描述相變存儲裝置的編程操作。
圖4是現(xiàn)有的相變存儲裝置的配置圖。
參見圖4,相變存儲裝置1包括編程脈沖發(fā)生模塊11、寫入驅動器12以及存儲模塊13。
編程脈沖發(fā)生模塊11被配置成響應于編程使能信號PGMP而產生第一寫入控制信號RESETEN和第二寫入控制信號SETP<0:n>。編程脈沖發(fā)生模塊11將第一寫入控制信號RESETEN和第二寫入控制信號SETP<0:n>提供給寫入驅動器12。另外,當完成產生第一寫入控制信號RESETEN和第二寫入控制信號SETP<0:n>的操作時,編程脈沖發(fā)生模塊11產生編程完成信號PGMNDP,并將編程完成信號PGMNDP傳輸給控制器。
寫入驅動器12被配置成響應于寫入使能信號WDEN而被驅動。將第一寫入控制信號RESETEN和第二寫入控制信號SETP<0:n>提供給寫入驅動器12,并響應于要編程的數據DATA和位線選擇開關控制信號YSW<0:m>而將編程電流I_PGM提供給存儲模塊13。
因此,在存儲模塊13中,隨著GST的電阻狀態(tài)根據要編程的數據DATA的電平而變化,可以記錄數據DATA。
圖5是圖4所示的編程脈沖發(fā)生模塊的示例框圖。
參見圖5,編程脈沖發(fā)生模塊11被配置成包括初始脈沖發(fā)生單元111、復位脈沖發(fā)生單元113以及淬滅脈沖發(fā)生單元115。
初始脈沖發(fā)生單元111被配置成響應于從控制器提供的編程使能信號PGMP而產生時段設定信號QSSETP。時段設定信號QSSETP是確定給GST提供接近熔點的熱的時間的信號。初始脈沖發(fā)生單元111響應于編程使能信號PGMP,在對預設時間計數之后將時段設定信號QSSETP使能。
復位脈沖發(fā)生單元113被配置成響應于編程使能信號PGMP和通過將時段設定信號QSSETP延遲預定義的時間所產生的復位信號IRSTP,而產生第一寫入控制信號RESETEN。
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