[發明專利]一種二氯二氫硅除雜設備

無效

• 申請號: 201210210310.7
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN102701217A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 萬燁;嚴大洲;毋克力;肖榮輝;湯傳斌
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，包括提純塔，所述提純塔包括：

填料提純區，所述填料提純區設有將待除雜的液相二氯二氫硅輸送進所述提純塔內的進料口，所述填料提純區對由所述進料口提供的液相二氯二氫硅進行粗提純，得到氣相二氯二氫硅和液態高沸物；和

吸附區，所述吸附區設在所述填料提純區上方且所述吸附區內配置有吸附劑，以對所述氣相二氯二氫硅進行精提純來除去其中的雜質，其中，

所述填料提純區的下方設有進氣口，通過所述進氣口向所述提純塔內提供氣相的二氯二氫硅，

所述吸附區的上方設有出氣口，以將經精提純的氣相二氯二氫硅排出所述提純塔。

2.根據權利要求1所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，所述提純塔還具有：

排液口，所述排液口設在所述提純塔的底部以將所述液態高沸物排出所述提純塔。

3.根據權利要求2所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，所述液態高沸物為富含雜質的氯硅烷。

4.根據權利要求2或3所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，還包括：

再沸器，所述再沸器與所述排液口相連，將其中的液態高沸物加熱成富含雜質的氣相氯硅烷。

5.根據權利要求4所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，加熱得到的所述氣相氯硅烷被通過所述進氣口送入所述提純塔以便與所述填料提純區的液相二氯二氫硅進行傳熱、傳質。

6.根據權利要求2或3所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，還包括：

高沸物冷卻器，所述高沸物冷卻器與所述排液口相連以冷卻部分液態氯硅烷并采出。

7.根據權利要求1所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，還包括：

冷凝器，所述冷凝器將經精提純的氣相二氯二氫硅冷卻為液相二氯二氫硅。

8.根據權利要求7所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，冷卻得到的液相二氯二氫硅的一部分被回流至所述提純塔。

9.根據權利要求1所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，所述填料提純區填充有波紋板金屬絲網填料。

10.根據權利要求1所述的二氯二氫硅除雜設備，其特征在于，所述吸附劑為活性炭吸附劑。