[發明專利]CVD共形真空/抽吸引導設計有效
| 申請號: | 201210210266.X | 申請日: | 2012-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN103215565A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 周友華;李志聰;陳嘉和;林進祥 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cvd 真空 抽吸 引導 設計 | ||
1.一種用于引導室內的氣流的引導元件,所述引導元件包括:
結構;
一個或多個入口,形成在所述結構的第一側上,所述入口具有根據去除速率選擇的入口尺寸以減輕氣流變化;
出口,形成在所述結構的第二側上,并具有根據所述去除速率選擇的出口尺寸;以及
傳輸區,在所述結構內,并連接至所述入口和所述出口。
2.根據權利要求1所述的引導元件,其中,額外根據相對于室出口端的位置來選擇所述入口尺寸。
3.根據權利要求1所述的引導元件,其中,所述出口尺寸約等于室出口端尺寸。
4.根據權利要求1所述的引導元件,還包括圍繞所述出口的密封件。
5.根據權利要求1所述的引導元件,其中,根據沉積速率選擇所述去除速率。
6.一種半導體工藝系統,包括:
室,具有出口端;
噴頭,位于所述室的頂部,所述噴頭被配置為分散工藝氣體;
加熱器,在所述室內位于所述噴頭的下方,所述加熱器被配置為產生所選溫度;以及
引導元件,在所述室內并覆蓋所述出口端,其中,所述引導元件減輕所述室內的氣流變化。
7.根據權利要求6所述的系統,還包括連接至所述出口端的泵和連接至所述泵的洗滌器,其中,所述泵被配置為從所述室中去除副產品,并且所述洗滌器處理所述副產品。
8.根據權利要求6所述的系統,其中,所述引導元件包括入口、出口以及和連接至所述入口和所述出口的傳輸區。
9.根據權利要求6所述的系統,其中,所述噴頭被進一步配置為分散清洗氣體。
10.一種引導工藝室內的氣流的方法,所述方法包括:
提供具有出口端的室;
配置引導元件;
將所述引導元件定位為接近所述出口端;以及
通過所述引導元件來引導所述室內的氣流,以減輕氣流變化。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





