[發(fā)明專利]一種去除半導(dǎo)體硅片表面缺陷的拋光組合物及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210209832.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102766406A | 公開(公告)日: | 2012-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳高攀;顧忠華;龔樺;鄒春莉;潘國順 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市力合材料有限公司;深圳清華大學(xué)研究院;清華大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C09G1/02 | 分類號(hào): | C09G1/02 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 廖元秋 |
| 地址: | 518108 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 去除 半導(dǎo)體 硅片 表面 缺陷 拋光 組合 及其 制備 方法 | ||
1.一種去除半導(dǎo)體硅片表面缺陷的拋光組合物,其特征在于,該組合物包括膠體二氧化硅磨粒、拋光加速劑、表面保護(hù)劑、分散劑、pH調(diào)節(jié)劑,所述的組合物的pH值為8.0~10.5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光組合物,其特征在于,該組合物組分的含量為:
膠體二氧化硅磨粒:5~80wt%;
拋光加速劑:0.01~20wt%;
表面保護(hù)劑:0.001~2wt%;
分散劑:0.001~2wt%;
pH調(diào)節(jié)劑:0.01~2wt%;
去離子水:余量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物,其特征在于,所述的拋光加速劑為,氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鉀、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸鈉、異丙醇胺、二異丙醇胺、氨基丙醇、四乙基胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、羥乙基乙二胺、六亞甲基二胺、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、無水哌嗪、六水哌嗪中的一種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物,其特征在于,所述的表面保護(hù)劑為,聚氧乙烯醚非離子表面活性劑中的一種或幾種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的拋光組合物,其特征在于,所述的聚氧乙烯醚非離子表面活性劑為,聚氧乙烯(9)月桂醇醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物,其特征在于,所述的分散劑為,聚乙烯醇、聚乙二醇、聚乙烯亞胺、聚氧化乙烯、聚丙烯酸和聚丙烯酰胺中的一種或幾種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物,其特征在于,所述的pH調(diào)節(jié)劑為,羥基亞乙基二膦酸、氨基三亞甲基基膦酸、乙二胺四亞甲基膦酸、二乙三胺五亞乙基膦酸、二乙三胺五亞甲基膦酸、丙二胺四亞甲基膦酸、2-膦酸丁烷-1,2,4三羧酸、乙二胺四乙酸、丙二胺四乙酸、二乙基三胺五乙酸和三乙基四胺六乙酸中的一種或幾種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物,其特征在于,所述的膠體二氧化硅的平均顆粒粒徑為10~100nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物,其特征在于,所述的膠體二氧化硅平均顆粒粒徑為40nm,含量20wt%,所述的拋光加速劑為1wt%的氫氧化鉀與5wt%的六水哌嗪,所述的分散劑為0.05wt%的聚乙烯醇,所述的表面保護(hù)劑為0.1wt%的脂肪醇聚氧乙烯醚,所述的pH調(diào)節(jié)劑0.02wt%的氨基三亞甲基基膦酸與0.02wt%的乙二胺四乙酸。
10.一種去除半導(dǎo)體硅片表面缺陷的拋光組合物的制備方法,其特征在于,該組合物的制備方法如下:
將膠體二氧化硅分散于去離子水中攪拌,得到濃度為5~80wt%的漿液;
在攪拌條件下,加入拋光加速劑0.01~20wt%、分散劑0.001~2wt%;
加入表面保護(hù)劑與pH調(diào)節(jié)劑的混合物,表面保護(hù)劑0.001~2wt%與pH調(diào)節(jié)劑0.01~2wt%分別占拋光組合物的,該拋光組合物的pH值為8.0~10.5;
繼續(xù)攪拌至混合均勻。
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